| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含:一DRAM,其单元电晶体仅由形成于一SOI基板上的PMOS电晶体所构成。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该PMOS电晶体之闸极电极系由一N型闸极电极所构成。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中该PMOS电晶体之闸极电极系由一N型多晶矽所形成的闸极电极。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该单元电晶体之该PMOS电晶体系由一高临限电压所驱动,且该DRAM由具有一PMOS电晶体之一逻辑单位所构成,对于该逻辑单位系以一低临限电压所驱动。5.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中用于逻辑单位的PMOS电晶体之闸极电极系一P型闸极电极;且用于单元电晶体的PMOS电晶体之闸极电极系一N型闸极电极。6.一种半导体装置之制造方法,该半导体装置具有DRAM,该半导体装置之制造方法包含仅由形成于一SOI基板上之PMOS电晶体所构成的单元电晶体之形成步骤。7.如申请专利范围第6项之半导体装置之制造方法,其中该PMOS电晶体之闸极电极系由一N型闸极电极所构成。8.如申请专利范围第7项之半导体装置之制造方法,其中该PMOS电晶体之闸极电极系由N型多晶矽所制成。9.如申请专利范围第6项之半导体装置之制造方法,其中该DRAM包含一逻辑单位,且当形成用于该逻辑单位之PMOS电晶体时,形成一P型扩散层,且此电晶体之闸极电极从N型反转成P型;并且当形成用于该单元单位之该PMOS电晶体时,形成一P型扩散层,且此电晶体之闸极电极维持为N型。图式简单说明:图1系显示依据本发明第一实施例之半导体装置结构之剖面图;并且图2A与2B系显示依据本发明第二实施例之半导体装置结构之剖面图。 |
