具有内建高速滙流排终结之高容量记忆模组

摘要

本发明提供可于高速、阻抗控制的汇流排上使用的一种记忆模组。每一片记忆卡可为直接有记忆晶片附装在卡上的一般印刷电路板。其另种方式亦可使用由可插接的次模组所组装而成的高密度记忆模组。此些次模组可以暂时性地组装起来，以供进行测试与/或烧机。直接安装于记忆卡或记忆模组上的汇流排终端，排除了汇流排必须外接连结的需要，因而容许释出连结的容量，将之使用在模组上，以供对更多额外的记忆容量进行定址。一种新颖的孔内触针接触系统并被用来将次模组连接至记忆模组，亦可将记忆模组连接至一片主机板或其他相类似的架构。模组中亦可以安置一个热量控制架构来冷却增加了数量的记忆晶片，以避免积聚过多的热量，并确保记忆运作的可靠性。

主权项

1.一种自供终端之高频记忆模组,其包含:a)一基底;b)复数个电接点,其沿着该基底的至少一边缘而设置,并可适于连接至一外部记忆滙流排;c)一电连接装置,其系操作性地连接至该些复数个电接点,并且形成该外部记忆滙流排的一个延伸;d)复数个记忆元件,其系安装于该基底之上,且选择性地连接至该记忆滙流排延伸;与e)一滙流排终端装置,其系操作性地连接至该记忆滙流排延伸。2.如申请专利范围1项之自供终端高频记忆模组,其中该外部记忆滙流排包含有一特性阻抗,且该滙流排终端所显现之阻抗实质上系与该特性阻抗相匹配。3.如申请专利范围2项之自供终端高频记忆模组,其中该滙流排终端装置包含有设置于该基底上且电性地连接至该记忆滙流排延伸之接线的电阻,电容与电感,三者其中之至少一者。4.如申请专利范围1项之自供终端高频记忆模组,其中该外部记忆滙流排包含有可适于接纳该些复数个电接点的一插座。5.如申请专利范围4项之自供终端高频记忆模组,其中该插座包含有弹簧接触,其可适于抓住该些复数个的电接点,并因此而将该基底固持于该插座之中,并在该外部记忆滙流排与该些电接点之间建立电性连结。6.如申请专利范围1项之自供终端高频记忆模组,其中该外部记忆滙流排包含有至少二个外部记忆滙流排;该外部记忆滙流排之该延伸包含有该至少二外部记忆滙流排之至少二个延伸;且该些复数个的记忆元件包含有至少二组的记忆元件,其每一组各系单独地连接至该至少二记忆滙流排延伸其中之一。7.一种自供终端之高频记忆模组,其包含:a)一基底;b)复数支的导电触针,其沿着该基底的至少一边缘而设置;c)一电连接装置,其系操作性地连接至该些复数支导电触针,并且形成该外部记忆滙流排具有一个预定滙流排宽度的一个延伸;d)复数个记忆元件,其系安装于该基底之上,且选择性地连接至该记忆滙流排延伸;与e)一滙流排终端装置,其系操作性地连接至该记忆滙流排延伸。8.如申请专利范围7项之自供终端高频记忆模组,其中该外部记忆滙流排包含有一特性阻抗,且该滙流排终端所显现之阻抗实质上系与该特性阻抗相匹配。9.如申请专利范围8项之自供终端高频记忆模组,其中该滙流排终端装置包含有设置于该基底上且电性地连接至该记忆滙流排延伸之对应接线的电阻,电容与电感,三者其中所选出之电气组件。10.如申请专利范围9项之自供终端高频记忆模组,其中该些电阻包含有个别电阻。11.如申请专利范围9项之自供终端高频记忆模组,其中该些电阻包含有排阻。12.如申请专利范围9项之自供终端高频记忆模组,其中设置于该基底上的该些电阻包含有一固态电阻元件。13.如申请专利范围7项之自供终端高频记忆模组,其中该外部记忆滙流排包含有设置于一印刷电路板构造上的复数个镀面穿孔,其可适于接纳并以可拆离的方式固持该些复数支的触针。14.一种自供终端之高频记忆模组,其包含:a)一基底;b)复数个连接器,其系设置于该基底上以接纳子卡;c)至少一子卡,其具有电连接装置,可适于与该些复数个连接器交互作用,其上并附接有至少一记忆元件;d)复数个电接点,其沿着该基底的至少一边缘而设置,并可适于连接至一外部记忆滙流排;e)一接线装置,其系操作性地连接至该些复数个电接点,并且形成该外部记忆滙流排的一个延伸;与f)一滙流排终端装置,其系设置于该基底之上并操作性地连接至该记忆滙流排延伸。15.如申请专利范围14项之自供终端高频记忆模组,其中该些复数个的连接器包含有设置于该基底上的镀面穿孔。16.如申请专利范围15项之自供终端高频记忆模组,其中该些镀面穿孔更包含有由其接纳触针的远端朝内突出的一导电组件。17.如申请专利范围16项之自供终端高频记忆模组,其中该子卡之该电连接装置包含有复数支的导电触针,其可适于与该些复数个的连接器交互作用。18.如申请专利范围17项之自供终端高频记忆模组,其中该子卡包含有一多层印刷电路板。19.如申请专利范围18项之自供终端高频记忆模组,其中该至少一记忆元件包含有裸晶片、薄型、小外廓封装(TSOP),晶片等级封装(CSP),以及板上晶片(COB),三者其中之至少一者。20.如申请专利范围14项之自供终端高频记忆模组,其中该子卡包含有实质上互相平行的复数片的子卡。21.如申请专利范围20项之自供终端高频记忆模组,其中该些复数片的子卡更包含有散热管理的构造。22.如申请专利范围21项之自供终端高频记忆模组,其中该散热管理构造包含有与该至少一记忆元件导热接触的导热翼片。23.如申请专利范围22项之自供终端高频记忆模组,其中该些实质上互相平行的复数片子卡系实质上垂直于该基底而安装。24.如申请专利范围22项之自供终端高频记忆模组,其中该些实质上互相平行的复数片子卡系实质上相对于该基底的一个卡接纳表面形成一个锐角而安装。25.如申请专利范围14项之自供终端高频记忆模组,其中该外部记忆滙流排包含有至少二个外部记忆滙流排;该外部记忆滙流排之该延伸包含有该至少二外部记忆滙流排之至少二个延伸;且具有至少一个附接记忆元件的该至少一子卡包含有至少二组的附接记忆元件,其每一组各系单独地连接至该至少二记忆滙流排延伸其中之一。图式简单说明:图1为其滙流排终端设于主机板上的,习知技术的一种多卡记忆安排的示意图;图2a为图1中所显示之习知技术记忆卡,其前平面视图;图2b为图2a中所显示习知技术记忆卡之上视图;图2c为图2a中所显示习知技术记忆卡之侧视图;图3为本发明其滙流排终端被设置于最后记忆模组上的一种记忆安排之示意图;图4为本发明其滙流排终端被设置于一记忆卡模组上的一种多卡式记忆安排之示意图;图5a为图4中所显示,本发明之自供终端记忆卡之前平面视图;图5b为图4中所显示,本发明之自供终端记忆卡之上视图;图5c为图4中所显示,本发明之自供终端记忆卡之尾端视图;图6为使用了子卡之本发明记忆卡,其另一实施例之示意图;图7a为图6中所显示,本发明自供终端记忆卡之前平面视图;图7b为图6中所显示,本发明自供终端记忆卡之上视图;图7c为图7a及7b中所显示之子卡之示意图;与图8为可适于支援两通道之自供终端记忆卡之前方示意图。