| 主权项 |
1.一种主动式矩阵电致发光显示装置,包含一各包 含一电致发光显示元件之显示像素阵列及一驱动 装置用以根据一驱动期间前之定址期间提供该像 素之驱动信号控制该驱动期间经该驱动装置之相 关储存电容,其特征为各像素包含电光放电装置和 该储存电容耦合以控制该驱动期间之像素光输出 量,该电光放电装置回应该驱动期间显示元件产生 之光,并将该储存电容以和该驱动期间显示元件光 输出有关之速率泄漏该储存电容之电荷。2.如申 请专利范围第1项之主动式矩阵电致发光显示装置 ,其特征为该放电装置包含一反向偏压光二极体和 该储存电容连接。3.如申请专利范围第2项之主动 式矩阵电致发光显示装置,其特征为该驱动装置包 含一电晶体而该储存电容及光二极体在该电晶体 闸极及携带电流电极间并联。4.如申请专利范围 第1项之主动式矩阵电致发光显示装置,其特征为 该放电装置另在由该显示元件作用控制及和之有 关之驱动期间一点测试该削减该显示元件光输出 及快速将该储存电容放电。5.如申请专利范围第4 项之主动式矩阵电致发光显示装置,其特征为该放 电装置快速将该储存电容放电之控制点由表示该 显示元件光输出到达一特定低程度之像素作用特 性决定。6.如申请专利范围第4或5项之主动式矩阵 电致发光显示装置,其特征为该放电装置快速将该 储存电容放电之控制点由随该显示元件驱动程度 变化之电参数决定。7.如申请专利范围第6项之主 动式矩阵电致发光显示装置,其特征为该放电装置 快速将该储存电容放电之作用依照流经该显示元 件之电流程度控制。8.如申请专利范围第4项之主 动式矩阵电致发光显示装置,其特征为该放电装置 包含一切换装置跨接该储存电容及可将该储存电 容快速放电。9.如申请专利范围第8项之主动式矩 阵电致发光显示装量,其特征为该驱动装置包含一 电晶体和该显示元件串联及该切换装置之作用由 经该驱动装置之电压控制。10.如申请专利范围第8 项之主动式矩阵电致发光显示装置,其特征为该驱 动装置及该切换装置包含TFT。11.如申请专利范围 第10项之主动式矩阵电致发光显示装置,其特征为 该放电装置包含一光响应元件跨接该储存电容及 回应该显示元件光输出自该储存电容泄漏电荷。 12.如申请专利范围第11项之主动式矩阵电致发光 显示装置,其特征为该光响应元件包含一反向偏压 光二极体。13.如申请专利范围第8项之主动式矩阵 电致发光显示装置,其特征为该放电装置包含一光 响应电晶体,在此该储存电容由该显示元件之光于 其间产生之光电流泄漏电荷及其闸极和电位和流 经该显示元件之电流有关之一源极耦合。14.如申 请专利范围第13项之主动式矩阵电致发光显示装 置,其特征为该光响应电晶体闸极和该显示元件及 该驱动装置间之节点耦合。图式简单说明: 图1是一包含一像素阵列之已知主动式矩阵电致发 光显示装置简化概图; 图2是图1该已知主动式矩阵电致发光显示装置之 一些标准像素等效电路; 图3是依照本发明之显示装置第一实施例一标准像 素等效电路; 图4显示图3该装置之几个像素及其连接方式范例; 图5是依照本发明之主动式矩阵电致发光显示装置 一第二实施例之一些标准像素等效电路; 图6及7说明图5该装置之个别像素作用;以及 图8显示依照本发明另一实施例之替代形式像素等 效电路。 |
