单片半导性陶瓷电子元件

摘要

本发明揭示一种单片半导体电子元件，包括钛酸铜为主之半导体陶瓷层和内部电极层(其彼此交替堆叠)，及所形成之外部电极使其电连接到内部电极层。各半导体陶瓷层之厚度S对各内部电极层厚度I的比例S/I约为10至50。较好内部电极层系由镍为主之金属所组成。

主权项

1.一种单片半导体电子元件,包括:钛酸钡为主之半导体陶瓷层;内部电极层,该半导体陶瓷层与内部电极层交替堆叠;及电连接至该内部电极层之外部电极,其中各半导体陶瓷层厚度S对各内部电极层厚度I的比例S/I约为10至50。2.如申请专利范围第1项之单片半导体电子元件,其中该内部电极层包括镍为主之金属。图式简单说明:图1表示本发明之单片半导体陶瓷电子元件实例之概视图。