发明名称 回声时脉信号产生用之静态随机存取记忆体
摘要 一种管线处理/猝发读取SRAM会产生一个与所读取资料之时序同时存在的回声时脉信号。该记忆体单元阵列包含一对用来储存一个高位准资料以及一个低位准资料的记忆体单元。该回声时脉信号是藉由自该对记忆体单元读取资料并交替她输出所读取资料而产生的。该回声时脉信号的时序是与来自一个会自由某一读取位址指定的记忆体单元上读取资料之资料输出部上所读取资料的时序同时存在。
申请公布号 TW476961 申请公布日期 2002.02.21
申请号 TW089116000 申请日期 2000.08.09
申请人 电气股份有限公司 发明人 川口康成
分类号 G11C11/409;G11C11/417 主分类号 G11C11/409
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种半导体记忆体装置包括: 一个记忆体单元阵列,其中含有许多各用于储存一 个资料的记忆体单元,该阵列包含一个用于储存高 位准信号的第一记忆体单元和一个用于储存低位 准信号的第二记忆体单元; 一个资料读取部,其中包含第一到第三感测放大器 ,该第一和第二感测放大器分别系用于读取来自该 第一和第二记忆体单元的资料,该第三感测放大器 则系用于读取来自一个由某一位址信号指定之记 忆体单元的资料; 一个内部时脉信号产生器,系用于产生相互间呈互 补的第一和第二时脉信号; 一个回声时脉产生器,其中包含分别用于回应该第 一和第二时脉信号,以便分别闩锁来自该第一和第 二感测放大器之资料用的第一和第二资料暂存器, 及一个用于交替地接收来自该第一和第二资料暂 存器的资料,以输出一个回声时脉信号的第一输出 缓冲器;以及 一个资料输出部,其中包含一个用于回应该第一时 脉信号,以便闩锁来自该第三感测放大器之资料的 第三资料暂存器,及一个用于接收来自该第三暂存 器的资料,以输出所读取资料的第二输出缓冲器。 2.如申请专利范围第1项之半导体记忆体装置,其中 该第一资料暂存器包含一个单一闩锁电路系用于 回应该第一时脉信号的上升边缘以闩锁资料,该第 二资料暂存器包含一个主闩锁电路和一个从属闩 锁电路,该第二资料暂存器的主闩锁电路系用于回 应该第二时脉信号的上升边缘以闩锁资料,而该第 三资料暂存器包含一个主闩锁电路和一个从属闩 锁电路,该第三资料暂存器的主闩锁电路系用于回 应该第三时序信号的上升边缘与闩锁资料。3.如 申请专利范围第2项之半导体记忆体装置,其中该 第一和第二资料暂存器会同时接收个别的资料并 交替地输出个别的资料。4.如申请专利范围第1项 之半导体记忆体装置,另外包括一个中间电位电路 来在某一特定时序上,将中间电位施加到每一个第 一到第三感测放大器的输出端上。5.如申请专利 范围第4项之半导体记忆体装置,其中各感测放大 器和各资料暂存器中每一个都会传输一对互补信 号,且该中间电位电路系藉由一个均等器,使一对 承载各互补信号的信号线上的各电位相等而施行 的。6.如申请专利范围第5项之半导体记忆体装置, 其中各资料暂存器每一个都包含一个具有用于放 大该对互补信号之功能的闩锁电路。7.一种半导 体记忆体装置包括: 一个记忆体单元阵列,其中含有许多各用于储存一 个资料的记忆体单元,该阵列包含一个用于储存高 位准信号或低位准信号的第一记忆体单元; 一个资料读取部,其中包含第一和第二感测放大器 ,该第一感测放大器系用于读取来自该第一记忆体 单元的资料,该第二感测放大器则系用于读取来自 一个由某一位址信号指定之记忆体单元的资料; 一个回声时脉产生器,其中包含用于回应该第一时 脉信号以便闩锁来自该第一感测放大器之资料的 第一资料暂存器,及一个用于接收来自该第一资料 暂存器的资料以输出一个回声时脉信号的第一输 出缓冲器;以及 一个资料输出部,其中包含一个用于回应该第一时 脉信号及与该第一时脉信号互补的第二时脉信号, 以便闩锁来自该第二感测放大器之资料用的第二 资料暂存器,及一个用于接收来自该第二暂存器的 资料,以输出所读取资料用的第二输出缓冲器。8. 如申请专利范围第7项之半导体记忆体装置,其中 该回声时脉产生器另外包含一个第三资料暂存器, 它系取决于储存于该记忆体单元内的高位准或低 位准信号,而接收具有低位准或高位准的第一资料 ,并以该第一资料暂存器而将第一资料交替地传送 到该第一输出缓冲器上,以产生该回声时脉信号。 图式简单说明: 第1A和1B图、显示的分别是习知SDR-PBSRAM和DDR-PBSRAM 的时序图。 第2图、系用以显示一种习知PBSRAM的俯视平面图。 第3图、系用以显示一种习知SRAM中之回声时脉产 生器和资料输出部的电路图。 第4图、系用以显示另一种习知SRAM中之回声时脉 产生器和资料输出部的电路图。 第5A图、系用以显示一种习知SRAM之资料输出部内 一个能够减缓其回声时脉信号与所读取资料之间 时序差异之资料暂存器的电路图;而第5B图、系用 以显示其存取时间对外部时脉信号之时脉周期作 图而得到的曲线。 第6A图、系用以显示另一种习知SRAM之资料输出部 内一个能够减缓其回声时脉信号与所读取资料之 间时序差异之资料暂存器的电路图;而第6B图、系 用以显示其存取时间对外部时脉信号之时脉周期 作图而得到的曲线。 第7图、系用以显示一种根据本发明某一实施例之 SRAM的方块图。 第8A,8B和8C图、分别系用以显示第一资料暂存器、 第二资料暂存器、和中间电压电路之实例的电路 图。 第9图、系用以显示第7图SRAM的时序图。 第10图、系用以显示第7图SRAM中之回声时脉产生器 和资料输出部的电路图。 第11A-11D图、系用以显示第10图中资料输出部内一 些资料暂存器实例的电路图以及一个中间电压电 路的电路图。 第12A-12C图、系用以显示第10图中资料输出部内一 些资料暂存器实例的电路图。
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