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<p>본 발명은 다층 배선에서의 배선간 연결 구조를 개선하여 고밀도 전류 인가시에도 단선이 발생하지 않도록한 반도체 소자의 금속 배선 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 그 구조는 상,하부 배선을 포함하는 다층 배선 구조의 반도체 소자에 있어서, 하부 배선의 표면내에 형성되는 베리어층, 상기 베리어층상에 형성되는 콘택홀을 포함하는 층간 절연층, 상기 베리어층 및 하부 배선에 콘택홀을 통하여 직접 연결되는 상기 하부배선과 동일한 물질로 구성된 상부 배선을 포함한다.</p> |
