| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft Verfahren zur Strukturierung von ferroelektrischen Schichten auf Halbleitersubstraten. Die erfindungsgemässen Verfahren erhalten bzw. regenerieren die Haftfähigkeit und Durchbruchsspannungsfestigkeit der ferroelektrischen Schicht, was insbesondere für die Herstellung der Speicherkondensatoren in hochintegrierten FeRAM- und DRAM-Speicherbauelementen von Bedeutung ist.</p> |
