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Ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators eines Halbleiterbauelementes, mit den Schritten: Bilden einer Kristallisationskeimschicht über einem Halbleitersubstrat, Bilden einer Mehrfachoxidschicht auf der Kristallisationskeimschicht, wobei Nassätzen der Mehrfachoxidschicht abnimmt, wenn die Schicht wächst, Bilden einer ersten Öffnung, die die Kristallisationskeimschicht freilegt, durch selektives Trockenätzen der Mehrfachoxidschicht, Bilden einer zweiten Öffnung durch Nassätzen der lateralen Oberfläche der ersten Öffnung, wobei die Weite der ersten Öffnung vergrößert wird, wobei der untere Teil der zweiten Öffnung größer ist als der obere Teil, Bilden einer Bodenelektrode auf der Kristallisationskeimschicht, die auf dem Boden der zweiten Öffnung frei liegt, wobei die Bodenelektrode eine mit der zweiten Öffnung identische Form aufweist, wobei die Bodenelektrode mit der ECD (elektrochemische Abscheidung)-Technik gebildet wird, Freilegen der Kristallisationskeimschicht durch Entfernen der Mehrfachoxidschicht, Entfernen der freigelegten Kristallisationskeimschicht, Bilden einer dielektrischen Schicht auf der Bodenelektrode und Bilden einer oberen Elektrode auf der dielektrischen Schicht.
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