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Bei einem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements wird über einem Substrat (1) eine erste Oxidschicht (4) erzeugt. Über dieser wird ein Kondensator, enthaltend eine untere und eine obere Elektrode (31, 33) und eine dazwischen abgeschiedene metalloxidhaltige Kondensatormaterialschicht (32) gebildet. Vor der Bildung des Kondensators wird die erste Oxidschicht (4) unter Verwendung eines Plasma-Dotierverfahrens mit einem eine Wasserstoff-Diffusionsbarriere (7A) in der ersten Oxidschicht aufbauenden Barrierestoff dotiert.
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