线性采样开关

摘要

一种由p沟道与n沟道场效应晶体管(FET)构成的采样电路。p沟道FET(42)的源节点耦合至n沟道FET(40)的漏节点,而p沟道FET(42)的漏节点耦合至n沟道FET(40)的源节点。采样时钟耦合至各FET的栅节点。线性采样电路的第一侧接至模拟或RF信号源,线性采样电路的远侧接至保持电容器(44)。n沟道FET具有n沟道宽度,p沟道FET具有p沟道宽度,且后者大于前者,以提高制成的开关的接通电阻的线性度。

主权项

1.一种开关，它包括：具有n沟道宽度的n沟道FET；和具有p沟道宽度的p沟道FET；其特征在于，所述p沟道FET的源节点耦合至所述n沟道FET的漏节点，所述p沟道FET的漏节点耦合至所述n沟道FET的源节点，而所述p沟道FET的栅节点和所述n沟道FET的栅节点均配置成耦合至互补时钟信号；而且其中所述p沟道宽度大于所述n沟道宽度，以提高所述开关的线性度。