| 发明名称 |
Ferroelectric memory devices with memory cells in a row connected to different5 plate lines |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB0200268(D0) |
申请公布日期 |
2002.02.20 |
| 申请号 |
GB20020000268 |
申请日期 |
2002.01.07 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. |
发明人 |
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| 分类号 |
G11C11/22;H01L21/8246;H01L27/105 |
主分类号 |
G11C11/22 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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