发明名称 高电源抑制比的单端供电前置放大器
摘要 一种同时偏置和放大磁阻元件产生的信号的放大器电路,接收来自单端电源的功率。包括第一电阻。第一反馈电路产生提供给磁阻元件的第一偏置电流。第一反馈电路包括第一跨导放大器。第二反馈电路产生提供给磁阻元件的第二偏置电流,包括第二跨导放大器。一个晶体管在接收电路和控制第一电阻之间相连。第一电阻、该晶体管和第二反馈电路都参考于单端电源,提供一个增加的电源抑制比。第二偏置电流经过两个电阻提供,增加了放大器电路的输出阻抗。
申请公布号 CN1079560C 申请公布日期 2002.02.20
申请号 CN97104557.7 申请日期 1997.03.25
申请人 索尼电子有限公司 发明人 M·纳耶比;M·穆斯巴;小路法男
分类号 G11B5/02 主分类号 G11B5/02
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 董巍;张志醒
主权项 1.同时偏置和放大磁阻元件对应于从磁介质中读取的数据而产生的信号的放大器电路,该放大器电路配置为从单端电源电压源接收功率,并包括:a.一个接收电路,配置为接收磁阻元件产生的信号;b.第一电路元件,设置放大器电路的增益并提供对应于磁阻元件所产生的信号的输出信号;c.连接到单端电源电压的参考电压;d.第一偏置电路,对磁阻元件提供第一偏置电流,该第一偏置电路被输出信号和参考电压之间的第一电压差控制;e.第二偏置电路,对磁阻元件提供第二偏置电流,该第二偏置电路被第一电压电平和参考电压之间的第二电压差控制;以及f.第一晶体管,在接收电路和第一电路元件之间连接,控制第一电路元件的输出信号产生,这里的第一电路元件、晶体管和第二偏置电路都参考于单端电源电压,提供增加的电源抑制比。
地址 美国新泽西州