| 发明名称 | 光刻蚀刻制作工艺 | ||
| 摘要 | 一种光刻蚀刻制作工艺,适用于一基底上,其步骤如下,首先在基底上形成欲图案化的材料层,再在此材料层上形成氮氧化硅层,此氮氧化硅层的厚度至少大于800埃。接着于此氮氧化硅层上形成图案化的光致抗蚀剂层,再以此光致抗蚀剂层为掩模除去暴露出的氮氧化硅层。接下来以图案化的氮氧化硅层为掩模除去暴露出的材料层,以形成图案化的材料层。 | ||
| 申请公布号 | CN1336573A | 申请公布日期 | 2002.02.20 |
| 申请号 | CN00122450.6 | 申请日期 | 2000.08.02 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈建宏 |
| 分类号 | G03F7/09 | 主分类号 | G03F7/09 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种光刻蚀刻制作工艺，适用于一基底上，该制作工艺包括下列步骤：在该基底上形成欲图案化的一材料层；在该材料层上形成一氮氧化硅层，该氮氧化硅层的厚度大于800埃；在该氮氧化硅层上形成图案化的一光致抗蚀剂层；以该光致抗蚀剂层为掩模，除去暴露出的该氮氧化硅层；以及以该氮氧化硅层为硬掩模，除去暴露出的材料层，以形成图案化的材料层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||