制造具有在半导体衬底内分段延伸布线的半导体器件的方法及用这种方法可制造的半导体器件

摘要

本发明提供用于制造至少分段地在衬底内延伸的布线的方法,其中至少配置一种在半导体衬底内延伸的、导电的连接和至少配置一种在半导体衬底上延伸的、导电的连接。按本发明制造的半导体器件使防止极端操作的高度安全性是重要的应用成为可能。

主权项

1、制造具有至少在衬底内分段地延伸的布线的半导体器件的方 法，其中至少配置一种在半导体衬底内延伸的、导电的连接(24)和至 少配置一种在半导体衬底(1)上延伸的、导电的连接(14，18)，并且 此方法是与制造至少两种类型的晶体管的方法相适配的，具有下列步 骤： a)提供一种具有至少两个区域(3，5)的半导体衬底(1)，其中在 第一区域(3)内安置第一种晶体管类型的晶体管，和在第二区 域(5)内安置第二种晶体管类型的晶体管， b)在半导体衬底(1)上淀积第一绝缘层(8)， c)在第一区域(3)内，在稍后的在半导体内延伸的、导电的连接 (24)与在半导体衬底(1)上延伸的、导电的连接(14)之间 的交叉点的范围内注入第一种导电类型的掺杂物，和/或在第二区 域(5)内，在稍后的在半导体内延伸的、导电的连接(24)与 在半导体衬底(1)上延伸的、导电的连接(18)之间的交叉点 的范围内注入第二种导电类型的掺杂物， d)在第一绝缘层(8)上淀积一种导电层(10)， e)利用光刻技术淀积第一掩模(12)，该掩模在第一区域(3)内基 本上只掩盖需制造的第一种晶体管类型的晶体管的栅极线 (Gatebahn)以及必要时掩盖在半导体衬底(1)上延伸的、导电 的连接(14)，和几乎完全掩盖第二区域(5)， f)对应于此第一掩模(12)将导电层(10)转变为第二绝缘层(22) 或去除，和在半导体衬底(1)中至少注入第一导电类型的掺杂 物(15)， g)利用光刻技术淀积第二掩模(17)，该掩模在第二区域(5)内基 本上只掩盖需制造的第二种晶体管类型的晶体管的栅极线以及必 要时掩盖在半导体衬底(1)上延伸的、导电的连接(18)，和几 乎完全掩盖第一区域(3)， h)对应于此第二掩模(17)将导电层(10)转变为第二绝缘层(22) 或去除，和在半导体衬底(1)中至少注入第二导电类型的掺杂 物(20)， 使得通过在交叉点的范围内和利用第一或第二掩模注入的掺杂物 制造在半导体衬底内延伸的、导电的连接(24)。