半导体器件的三维缺陷分析方法

摘要

一种在制成半导体器件的晶片中，仅检查产生缺陷的该芯片的半导体器件三维缺陷分析方法，其工序包括：除含有缺陷处的一定部位外，在整个保护面上涂敷感光膜；在所述感光膜上和晶片的侧面涂敷乙烯树脂；除掉所述第二金属布线上露出的保护膜；经蚀刻除去位于露出的第二金属布线层和下部的第一金属布线层之间的绝缘膜；用扫描电子显微镜调节倾斜角和旋转角观察经蚀刻所述绝缘膜露出的两层金属布线。

主权项

1、一种半导体器件的三维缺陷分析方法，包括：在具有第一及第二金属布线和所述第二金属布线上形成的保护膜和在所述第一及第二金属布线之间形成绝缘层的两层布线结构的半导体器件中，其特征在于包括以下工序：除含有缺陷处的一定部位外，在整个保护面上涂敷感光膜；在所述感光膜上和晶片的侧面涂敷乙烯树脂；除掉所述第二金属布线上露出的保护膜；经蚀刻除去位于露出的第二金属布线层和下部的第一金属布线层之间的绝缘膜；用扫描电子显微镜调节倾斜角和旋转角观察经蚀刻所述绝缘膜露出的两层金属布线。