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<p>본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 소자의 제조 공정에서 반사 방지막을 형성할 때 전도성을 가진 비정질 실리콘의 성분이 거의 포함되지 않아 절연성이 우수하고 SiN성분이 다량 함유되어 산화물에 대한 식각 선택비가 큰 반사 방지막을 1차로 형성한 후 연속 공정으로 SiO성분이 다량 함유되어 산화물 식각에 대한 식각 선택비가 작아 자기정렬 콘택 형성을 용이하게 하는 2차 반사 방지막을 증착하므로써 마스크 공정에 의한 패턴 형성에는 지장을 주지 않으면서 자기정렬 콘택 형성시 식각 선택비에 의하여 자기정렬 콘택 형성이 용이하게 이루어지며, 전기적 절연성이 우수한 1차 반사 방지막이 트랜지스터 게이트와 콘택에 형성될 전도성 물질 사이에 존재하도록 하여 전기적 절연 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 제조 방법이 제시된다.</p> |
