| 摘要 |
<p>본 발명은 정전방전방지회로의 모스 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 종래 정전방전방지회로의 모스 트랜지스터는 게이트산화막 절연파괴를 방지하기 위해 드레인전극과 게이트간의 이격거리를 소스전극과 게이트의 이격거리에 비해 길게 형성해야 함으로써, 그 드레인의 저항성분 증가에 의해 게이트산화막의 파괴율을 줄일 수 있으나, 드레인을 상대적으로 크게 형성해야 하므로 집적도가 저하되는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 기판의 상부에 게이트산화막, 다결정실리콘, 질화막을 순차적으로 증착하고, 그 증착된 막을 패터닝하여 게이트를 형성한 다음, 그 게이트의 측면 기판에 불순물 이온을 이온주입하여 드레인 및 소스를 형성하는 모스 트랜지스터 제조단계와; 상기 구조의 상부전면에 포토레지스트를 도포하고, 패턴을 형성하여 상기 게이트의 측면과 인접한 드레인의 일부영역을 노출시킨 후, 그 노출된 드레인영역을 소정깊이로 식각하여 드레인의 표면적을 확장하는 드레인 확장단계와; 상기 노출된 드레인의 식각된 영역에 상기 드레인과 동일한 도전형의 불순물을 주입하여 드레인을 통한 전류경로를 길게하는 전류경로확장단계와; 상기 포토레지스트를 제거하고, 상기 게이트와 드레인 및 소스의 상부에 질화막을 증착하고, 그 질화막을 건식식각하여 게이트 측벽을 형성하는 측벽 형성단계와; 상기 구조의 상부에 절연막을 증착하고 콘택홀을 형성하여 소스 및 드레인의 일부를 노출시킨 후, 그 콘택홀에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계로 구성되어, 드레인을 굴곡지게 형성하여 좁은 면적에서 긴 전류경로를 유지할 수 있어, 비정상적인고전압의 인가시 게이트산화막이 절연파괴 됨을 방지함과 아울러 소자의 집적도를 향상시키는 효과가 있다.</p> |
