| 摘要 |
<p>본 발명은 레벨시프트 회로에 관한 것으로, 종래의 기술에 있어서 도2와 도3의 경우 얇은 옥사이드 소자만을 사용하는 아이씨에 적용될 수 있지만 대기 상태에서 항상 전류가 흐르고, 고전압이 수백 볼트까지 높아지는 경우에는 작은 전류만 흘러도 전력 소모가 크기 때문에 대기 전류는 신뢰성 저하 및 상품가격의 상승과 제품의 수명을 단축하게 되는 문제점이 있었다. 따라서, 본 발명은 게이트에 입력신호(IN2)를 받고, 소오스가 접지되고, 드레인이 커패시터(C1)를 통해 피모스 트랜지스터(P2)의 게이트에 접속된 엔모스 트랜지스터(N1)와; 소오스에 고전압(Vddh)을 인가받고, 게이트와 소오스에 제너 다이오드(D1)가 연결되고, 드레인이 상기 엔모스 트랜지스터(N1)의 드레인에 직렬 연결된 피모스 트랜지스터(P1)와; 소오스가 접지되고, 인버터(INV1)를 통해 게이트에 상기 입력신호(IN2)를 인가받고, 드레인이 커패시터(C2)를 통해 상기 피모스 트랜지스터(P1)의 게이트에 접속된 엔모스 트랜지스터(N2)와; 소오스에 고전압(Vddh)을 인가받고, 게이트와 소오스에 제너 다이오드(D2)가 연결되고, 드레인이 상기 엔모스 트랜지스터(N2)의 드레인에 직렬 연결된 피모스 트랜지스터(P2)와; 게이트가 상기 피모스 트랜지스터(P1)의 게이트에 연결되고, 소오스에 고전압을 인가받는 피모스 트랜지스터(P3)와; 게이트에 입력신호(IN1)를 인가받고, 소오스가 접지되며 드레인은 상기 피모스 트랜지스터(P3)의 드레인과 접속되어 고전압을 출력(HVout)을 출력하는 엔모스 트랜지스터(N3)로 구성하여 얇은 게이트 옥사이드 소자를 사용하는 공정에 적용할수 있는 기술로 구조가 간단하면서 대기전류를 없앨 수 있기 때문에 신뢰성 및 제품의 수명을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.</p> |
