摘要 |
<p>Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden organischen Schichtaufbaus zum Einsatz in einer elektronischen Schaltung, insbesondere einer Logik- und/oder Speicherschaltung, wobei ein Substrat mit einer Lösung oder Dispersion mit geringem Anteil einer organischen Zusammensetzung mit einer Naßschichtdicke beschichtet und durch Trocknen eine auf dem Substrat haftende organische Dünnschicht mit halbleitenden Eigenschaften mit einer gegenüber der Naßschichtdicke wesentlich, insbesondere um eine Größenordnung oder mehr, geringeren Trockenschichtdicke gebildet wird, wobei das Trocknen durch kurzzeitige Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung erfolgt, die ihren wesentlichen Wirkanteil im Bereich des nahen Infrarot, insbesondere im Bereich zwischen 0,8 und 1,5 νm, hat.</p> |