Verfahren zur Herstellung einer halbleitenden Nanostruktur und Aggregat davon

摘要

Die vorliegende Erfindung schafft ein neues Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Superatoms und eines Aggregats davon, das die Bildung einer Halbleiter-Nanostruktur mit einem Durchmesser in der Größenordnung von 10 nm ermöglicht, die zur Darstellung eines Kerns bestimmt ist, und die das Dotieren der Störstellenatome lediglich in dem Kernteil ermöglicht, wobei die Anzahl der Störstellenatome gesteuert wird. Zur Bildung der Halbleiter-Nanostruktur, die den Kern darstellt, wird z. B. die Tropfenepitaxie verwednet, während zum Dotieren der Störstellenatome in die Halbleiter-Nanostruktur die Rastertunnelmikroskopie verwendet wird, um so die Störstellenatome selektiv nur in den Kern einzuführen, wobei die Anzahl der Störstellenatome mit einer Genauigkeit auf der Ebene eines einzelnen Atoms gesteuert wird.