| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine photolithographische Maske mit einer Maskenstruktur zur Struckturierung von strahlungsempfindlichen Resistschichten auf Halbleitersubstraten, wobei die Maskenstruktur eine Hilfsstruktur aufweist, deren Strukturelement so schmal sind, daß sie zwar die Belichtungsdosis örtlich auf der Resistschicht leicht reduzieren aber kein Strukturelement in der Resistschicht erzeugen. Mit diesem Verfahren ist es möglich, Belichtungsdosisvariationen, die von den Strukturvariationen der Maske herrühren, auszugleichen, so daß es nicht zu Artefakten in der Strukturierung der Resistschicht kommt.</p> |
