发明名称 PROCESS FOR GROWING A MAGNESIUM OXIDE FILM ON A SILICON (100) SUBSTRATE COATED WITH A CUBIC SILICON CARBIDE BUFFER LAYER
摘要 <p>A CVD method for growing MgO on a Si(100) substrate coated with a cubic SiC buffer layer provides a single-crystalline MgO film having improved quality.</p>
申请公布号 WO2002013246(P1) 申请公布日期 2002.02.14
申请号 KR2000000914 申请日期 2000.08.17
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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