发明名称 METHOD AND DEVICE FOR DETERMINING THE OUTPUT POWER OF A SEMICONDUCTOR LASER DIODE
摘要 <p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Bestimmung der Ausgangsleistung einer Halbleiterlaserdiode, die mit einem Diodenstrom (Id) betrieben wird. Erfindungsgemäß wird ein definierter Messstrom (Im), der kleiner als der Schwellstrom der Halbleiterlaserdiode (HLD) ist, in Durchlassrichtung durch die Halbleiterlaserdiode (HLD) geleitet, die dabei über der Halbleiterlaserdiode (HLD) abfallende Flussspannung (Uf) gemessen und aus der gemessenen Flussspannung (Uf) anhand mindestens einer Kalibrierkurve die Temperatur des laseraktiven Bereichs der Halbleiterlaserdiode (HLD) bestimmt. Die Erfindung ermöglicht eine einfache und präzise Bestimmung der Ausgangsleistung einer Halbleiterlaserdiode, wobei keine zusätzliche Messeinrichtung beispielsweise eine Monitordiode benötigt wird.</p>
申请公布号 WO2002013340(P1) 申请公布日期 2002.02.14
申请号 DE2001002998 申请日期 2001.08.08
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
地址