| 发明名称 |
Vertical trench-gated power MOSFET having stripe geometry and high cell density |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0962987(A3) |
申请公布日期 |
2002.02.13 |
| 申请号 |
EP19990110268 |
申请日期 |
1999.05.27 |
| 申请人 |
SILICONIX INCORPORATED |
发明人 |
WILLIAMS, RICHARD K.;GRABOWSKI, WAYNE B. |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L27/02;H01L27/07;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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