发明名称 Co–Ti合金溅镀靶及其制造方法
摘要 [课题]欲藉由一种Co系合金溅镀靶来获致溅镀薄膜,其氧含有量少、所形成之薄膜具有良好之均一性、且粒子之发生量少。[解决手段]乃采用一种Co-Ti合金溅镀靶,系含有 Ti 0.5~20at%、藉由真空熔解以及热轧来制作者,其氧含有量在lOOppm以下、结晶粒径在50μm以下。
申请公布号 TW475946 申请公布日期 2002.02.11
申请号 TW088119331 申请日期 1999.11.05
申请人 日材料股份有限公司 发明人 高桥一成;宫下博仁
分类号 C23C14/34 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人 林镒珠 台北市长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种Co-Ti合金溅镀靶,其特征为,系含有Ti 0.5-20 at%且藉由真空熔解法所制作。2.一种Co-Ti合金溅镀靶,其特征为,系含有Ti 0.5-20 at%、藉由真空熔解法所制作、并且含有量在100ppm以下。3.一种Co-Ti合金溅镀靶,其特征为,系含有Ti 0.5-20 at%、藉由真空熔解法所制作、并且结晶粒径在50m以下。4.一种Co-Ti合金溅镀靶,其特征为,系含有Ti 0.5-20 at%、藉由真空熔解法所制作、氧含有量在100ppm以下、并且结晶粒径在50m以下。5.如申请专利范围第1-4项中任一项之溅镀靶,其中,溅镀靶中,面内方向之最大磁通率系未达30,又板厚方向之最大磁通率系5以上且未达100。6.一种Co-Ti合金溅镀靶之制造方法,其特征为,系将含有Ti 0.5-20 at%之Co-Ti合金藉由真空熔解以及铸造来形成Co-Ti合金锭块之后,将该锭块予以热加工以制成溅镀靶。图式简单说明:图1系表示于晶圆上之组成分析位置之概略说明图。
地址 日本