| 主权项 |
1.一种SOI基体制造方法,包含以下步骤:清洁两个欲被黏合的基体,运送清洁后的两个基体经过具有清洁度不小于Fed.St.209D:USA IS标准中之级1之大气,清洁度是得自使用具有聚四氟乙烯过滤媒质之空气过滤器,此聚四氟乙烯过滤媒质具有对于大小在不小于0.1m之灰尘微粒不小于99.9999%之收集效率,黏合运送后的两个基体于具有清洁度不小于Fed.St.209D:USA IS标准中之级上之大气中,清洁度是得自使用具有聚四氟乙烯过滤媒质之空气过滤器及化学过滤器,此聚四氟乙烯过滤媒质具有对于大小在不小于0.1m之灰尘微粒不小于99.9999%之收集效率。2.如申请专利范围第1项之方法,其中运送步骤及黏合步骤是在清洁室的湾区域中执行。3.如申请专利范围第2项之方法,其中空气过滤器及化学过滤器被摆设在执行运送步骤及黏合步骤的区域之上方,且空气被供给至这些区域,作为来自空气过滤器及化学过滤器之向下流。4.如申请专利范围第1项之方法,其中运送步骤及黏合步骤是以双层构造在清洁室中被执行。5.如申请专利范围第1项之方法,其中藉使用依据局部清洁室系统之装置而执行运送步骤及黏合步骤,此装置是安装在具有清洁度小于Fed.St.209DUSA IS标准中之级1之大气中。6.如申请专利范围第1项之方法,其中藉使用依据SMIF系统之装置而执行运送步骤及黏合步骤。7.如申请专利范围第1项之方法,其中防止电荷积聚于一区域中之物质中,这些区域是执行运送步骤及黏合步骤之区域。8.如申请专利范围第1项之方法,连接至用于整个或部份黏合两个基体之装置之气体管线包含一CRP管。9.如申请专利范围第1项之方法,其中藉使用依据局部清洁室系统之装置而执行运送步骤及黏合步骤,且空气过滤器是摆设于装置中。10.如申请专利范围第1项之方法,其中在黏合步骤中使用黏合时无需手动操作之自动装置。11.如申请专利范围第1项之方法,其中执行运送步骤及黏合步骤,以在所制之SOI基体浸渍于49%浓HF溶液中15分钟后,得到不超过0.5件/cm2之空虚点密度。12.如申请专利范围第1项之方法,其中执行运送步骤及黏合步骤,以在所制之SOI基体之黏合介面上,得到不超过1x1016原子/cm3之硼浓度。13.如申请专利范围第1项之方法,进一步包含以下步骤:形成一多孔层于一基体上,并形成一含有单晶层之非多孔层于多孔层上,以制备第一基体,被提供至清洁步骤,作为两个基体的其中之一;制备第二基体,被提供至清洁步骤,作为两个基体的另一个基体,第一基体与第二基体在黏合步骤中被黏合以包夹非多孔层于其间;从黏合步骤中形成的黏合之基体叠移去第一基体方,以留下多孔层于第二基体方之表面上;蚀刻留于第二基体方之表面上之多孔层。14.如申请专利范围第1项之方法,进一步包含以下步骤:植入离子于第一基体中,以形成一微空腔层,第一基体被提供至清洁步骤作为两个基体的其中之一;制备第二基体,被提供至清洁步骤,作为两个基体的另一个基体;在微空腔层处分离形成于黏合步骤中之黏合之基体叠;及移去第二基体方之表面上所留下之微空腔层。15.如申请专利范围第1项之方法,进一步包含以下步骤:形成氧化薄膜于第一基体上,第一基体被提供至清洁步骤,作为两个基体的其中之一;制备第二基体,被提供至清洁步骤,作为两个基体的另一个基体,第一基体与第二基体在黏合步骤中被黏合以包夹非多孔层于其间;及磨制形成于黏合步骤中之黏合之基体叠,并减薄第一基体方。16.如申请专利范围第1项之方法,其中当由黏合步骤形成之黏合之基体叠浸渍于49%浓HF溶液中15分钟时,所得到之空虚点密度不超过0.5件/cm2。17.如申请专利范围第1项之方法,其中当由黏合步骤形成之黏合之基体叠浸渍于49%浓HF溶液中15分钟时,所得到之平均空虚点密度不超过0.5件/cm2。18.如申请专利范围第1项之方法,其中由黏合步骤形成之黏合之基体叠之黏合介面上之硼浓度不超过1x1016原子/cm3。19.如申请专利范围第1项之方法,其中在黏合步骤中,由黏合步骤形成之黏合之基体叠之黏合介面上之平均硼浓度不超过1x1016原子/cm3。图式简单说明:图1为断面图,显示第一实施例之实例1之清洁室之概要安排;图2为断面图,显示第一实施例之实例2之清洁室之概要安排;图3为平面图,显示由ELTRAN制造黏合之SOI基体之清洁室之概要安排;图4A至4F显示由ELTRAN制造黏合之SOI基体之步骤;图5A至5E显示由离子植入剥离法制造黏合之SOI基体之步骤;图6为断面图,显示第二实施例之实例1之清洁室之概要安排;图7为断面图,显示第二实施例之实例2之清洁室之概要安排;及图8为平面图;显示由ELTRAN制造黏合之SOI基体之清洁室之概要安排。 |
