发明名称 基板承载装置及磊晶成长装置
摘要 本发明系提供一种基板承载装置,具有水平承载单片晶圆之碳化矽制的承载台。于此承载台之上部形成载置晶圆之用的凹状之基板承载部。此外,承载台于包含了基板承载部之周缘的区域里,设置了5个贯穿孔。此贯穿孔系作为碳化矽制之承载元件的嵌入处所。于承载元件之内侧(即基板承载部侧)上部,形成基板承载用切口部以承载晶圆的边缘。此承载元件藉助于升降机构而朝承载台上提。当晶圆置于承载台之上时,因系由基板承载用切口部承载了晶圆的边缘,俾可防止晶圆朝水平方向偏移位置。
申请公布号 TW476098 申请公布日期 2002.02.11
申请号 TW089122601 申请日期 2000.10.26
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 高木庸司;平川雅彦
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 蔡坤财 台北巿松江路一四八号十二楼
主权项 1.一种基板承载装置,系至少包含有:配置于处理室内,且具备有供承载基板之凹状的基板承载部,与设于含该基板承载部周缘区域之复数贯穿孔的承载台;与具备有嵌入该各贯穿孔中且供承载该基板边缘用之基板承载切口部的复数承载元件与卡合于该各承载元件下面之复数卡合部,并将该各承载元件朝承载台方向上提升之升降机构。2.如申请专利范围第1项所述之基板承载装置,其中该承载元件系与该承载台相同材质结构者。3.如申请专利范围第1项所述之基板承载装置,其中在该承载元件下方与该接合部上之任一端中设有插销,并在相对一端形成供该插销嵌入的孔部。4.如申请专利范围第1项所述之基板承载装置,其中该贯通孔系具有相对于下方呈渐细式的推拔面;而该承载元件系形成有与该贯穿孔之推拔面相对应的推拔面者。5.如申请专利范围第1项所述之基板承载装置,其中该基板承载用切口部系由底面及侧面所构成,而该底面及侧面系该承载元件嵌入该贯穿孔之际,使形成于该基板承载部底面与形成于该基板承载部侧面约略形成同一平面状态者。6.一种磊晶成长装置,至少包括:处理室;与配置于该处理室内,且承载欲处理基板的基板承载装置;与配置于该处理室上方及下方,并利用该基板承载装置,对基板承载装置所承载之基板施行加热的加热构件;其中该基板承载装置系具备有:配置于处理室内,且具备有供承载基板之凹状的基板承载部,与设于含该基板承载部周缘区域之复数贯穿孔的承载台;与具备有嵌入该各贯穿孔中且供承载该基板边缘用之基板承载切口部的复数承载元件与卡合于该各承载元件下面之复数卡合部,并将该各承载元件朝承载台方向上提升之升降机构。7.如申请专利范围第6项所述之磊晶成长装置,其中该承载元件系与该承载台相同材质结构者。8.如申请专利范围第6项所述之磊晶成长装置,其中该承载元件下及接合部上方的其中任一端设有插销,而相对一端则形成供该插销嵌入的孔部。9.如申请专利范围第6项所述之磊晶成长装置,其中该贯穿孔系具有相对于下方呈渐细式的推拔面;而该承载元件则设有与该贯穿孔之该推拔面相对应的推拔面者。10.如申请专利范围第6项所述之磊晶成长装置,其中该基板承载用切口部系由底面及侧面所构成;而该底面及侧面系于承载元件嵌入贯穿孔之际,使形成于该基板承载部之底面与形成于该基板承载部之侧面约略形成同一平面状态者。图式简单说明:第1图系本发明所提供之基板承载装置之一实施样态的磊晶成长装置概略示意图。第2图系本发明所提供之基板承载装置之一实施样态,于垂直方向之剖面示意图。第3图系第2图中之承载台的平面示意图。第4图系第3图中之贯穿孔的扩大图。第5图系第2图中之承载元件及升降机构之上端部附近的扩大图。第6A图系将晶圆置于第2图所示之承载台上的状态示意图。第6B图系将晶圆置于第2图所示之承载台上的状态示意图。第7图系以往之基板承载装置的一例之垂直方向剖面示意图。
地址 美国