| 主权项 |
1.一种触媒,包含: (A)周期表V族过渡金属之金属茂型错合物,其为如 下通式代表之化合物: RMX3La 其中R为环戊二烯基,经取代环戊二烯基、基、 经聚代基、芴基或经取代芴基;M为V族过渡金属; X为氢原子、卤原子、C1-20烃基、烷氧基或胺基;L 为刘易士硷;a为0,1或2; 或如下通式代表之化合物: RMLa 其中R为环戊二烯基,经取代环戊二烯基、基、 经取代基、芴基或经取代芴基;M为V族过渡金属; L为刘易士硷;a为0,1或2; (B)包含非配位阴离子与阳离子之离子化合物,该非 配位阴子系选自包括:四(苯基)硼酸盐、四(氟苯基 )硼酸盐、四(二氟苯基)硼酸盐、四(三氟苯基)硼 酸盐、四(四氟苯基)硼酸盐、四(五氟苯基)硼酸盐 、四(四氟甲基苯基)硼酸盐、四(3,5-双三氟甲基苯 基)硼酸盐、四(甲苯基)硼酸盐、四(二甲苯基)硼 酸盐、三苯基(五氟苯基)硼酸盐、三(五氟苯基)( 苯基)硼酸盐、三十氢化物 -7,8-二卡巴十二硼酸盐、四氟硼酸盐及六氟磷酸 盐之集团;该非配位阳离子系选自包括:碳阳离 子、氧阳离子、铵阳离子、鏻阳离子、环庚三 烯阳离子及含有过渡金属之铈铁阳离子之集团; (C)周期表I-III族元素之有机金属化合物, 其系选自包括有机铝化合物、有机锂化合物、有 机镁化合物、有机锌化合物及有机硼化合物之集 团; (D)水; 其中(C)/(D)之莫耳比为0.66至5。2.根据申请专利范 围第1项之触媒,其中该周期表V族过渡金属为钒。3 .根据申请专利范围第1项之触媒,其中该周期表I- III族元素为铝。4.一种制备共轭二烯聚合物之方 法,其包括在根据申请专利范围第1项所定义之触 媒存在下由共轭二烯化合物进行聚合。5.根据申 请专利范围第4项之制备共轭二烯聚合物之方法, 其中共轭二烯化合物之聚合作用在氢存在下进行 。6.根据申请专利范围第4项之制备共轭二烯聚合 物之方法,其中共轭二烯化合物之聚合作用系进行 本体聚合作用。7.根据申请专利范围第4项之制备 共轭二烯聚合物之方法,其中共轭二烯化合物之聚 合作用系在作为溶剂之芳香化合物中进行。8.根 据申请专利范围第4项之制备共轭二烯聚合物之方 法,其中共轭二烯化合物之聚合作用系在作为溶剂 之脂系化合物中进行。9.根据申请专利范围第4项 之制备共轭二烯聚合物之方法,其中共轭二烯化合 物之聚合作用系在作为溶剂之2-丁烯中进行。10. 根据申请专利范围第4项之制备共轭二烯聚合物之 方法,其中该共轭二烯化合物为主要由丁二烯所组 成之共轭二烯化合物。11.根据申请专利范围第10 项之制备共轭二烯聚合物之方法,其中该周期表I 至III族之有机金属化合物(C)与该水(D)已事先互相 接触。12.根据申请专利范围第10项之制备共轭二 烯聚合物之方法,其中该(C)/(D)之莫耳比为0.7至1.5 。13.根据申请专利范围第10项之制备共轭二烯聚 合物之方法,其中在聚合作用之前,先在不超过40℃ 之温度下,与触媒成份接触1至60分钟。14.根据申请 专利范围第10项之制备共轭二烯聚合物之方法,其 中构成共轭二烯聚合物之丁二烯中1,2-结构单元、 顺式-1,4-结构单元及反式-1,4-结构单元之含量分别 为4至30莫耳%,65至95莫耳%及不超过5莫耳%,且甲苯溶 液黏度(Tcp)对门尼黏度(Mooney viscosity)在100℃下(ML1+ 4)之比例(Tcp/ML1+4)为2至6。 |
