| 主权项 |
1.一种防止浅沟渠隔离降低金氧半电晶体启始电 位之方法,包括下列步骤: 提供一基底,该基底中形成有复数个浅沟渠隔离以 隔开复数个第一主动区与第二主动区,该些第一主 动区位于一核心电路区内,该些第二主动区位于一 周边电路区内; 对该些第一主动区与第二主动区进行一第一离子 植入步骤,以分别于该些第一与第二主动区之该基 底中形成复数个井掺杂区; 对该些第二主动区与该些第一主动区之边缘进行 一第二离子植入步骤,以于该些第二主动区形成一 第二通道离子掺杂区,并适度增加该些第一主动区 边缘之离子浓度;以及 对该些第一主动区进行一第三离子植入步骤,以于 该些第一主动区形成一第一通道离子掺杂区。2. 如申请专利范围第1项所述之防止浅沟渠隔离降低 金氧半电晶体启始电位之方法,其中该第一离子植 入步骤、该第二离子植入步骤以及该第三离子植 入步骤均使用同型的离子。3.如申请专利范围第1 项所述之防止浅沟渠隔离降低金氧半电晶体启始 电位之方法,其中该第二离子植入步骤中所使用的 离子剂量约为1E13原子/平方公分。4.如申请专利范 围第1项所述之防止浅沟渠隔离降低金氧半电晶体 启始电位之方法,其中该第三离子植入步骤中所使 用的离子剂量约为3E13原子/平方公分。5.如申请专 利范围第1项所述之防止浅沟渠隔离降低金氧半电 晶体启始电位之方法,其中在对该些第二主动区与 该些第一主动区之边缘进行一第二离子植入步骤 中,包括: 在该基底上形成图案化之一光阻层,该光阻层具有 复数个第一开口暴露出该些第一主动区之边缘,还 有复数个第二开口暴露出该些第二主动区;以及 以该光阻层为罩幕,进行该第二离子植入步骤。6. 如申请专利范围第5项所述之防止浅沟渠隔离降低 金氧半电晶体启始电位之方法,其中适度增加该些 第一主动区边缘之离子浓度的方法包括适度调整 该光阻层之一厚度。7.如申请专利范围第5项所述 之防止浅沟渠隔离降低金氧半电晶体启始电位之 方法,其中适度增加该些第一主动区边缘之离子浓 度的方法包括适度调整该些第一开口之宽度以及 该些第一开口分别与该些第一主动区边缘之相对 位置。8.如申请专利范围第5项所述之防止浅沟渠 隔离降低金氧半电晶体启始电位之方法,其中适度 增加该些第一主动区边缘之离子浓度的方法包括 适度调整该第二离子植入步骤之一离子植入角。9 .一种防止浅沟渠隔离降低金氧半电晶体启始电位 之方法,包括下列步骤: 提供一基底,该基底中形成有复数个浅沟渠隔离以 隔开复数个主动区; 对该些主动区进行一第一离子植入步骤,以于该些 主动区形成一通道离子掺杂区;以及 对该些主动区之边缘进行一第二离子植入步骤,以 适度增加该些主动区边缘之离子浓度。10.如申请 专利范围第9项所述之防止浅沟渠隔离降低金氧半 电晶体启始电位之方法,其中该第一离子植入步骤 以及该第二离子植入步骤均使用同型的离子。11. 如申请专利范围第9项所述之防止浅沟渠隔离降低 金氧半电晶体启始电位之方法,其中该第一离子植 入步骤中所使用的离子剂量约为3E13原子/平方公 分。12.如申请专利范围第9项所述之防止浅沟渠隔 离降低金氧半电晶体启始电位之方法,其中该第二 离子植入步骤中所使用的离子剂量约为1E13原子/ 平方公分。13.一种防止浅沟渠隔离降低金氧半电 晶体启始电位之方法,包括下列步骤: 提供一基底,该基底中形成有复数个浅沟渠隔离以 隔开复数个第一主动区与第二主动区,该些第一主 动区位于一核心电路区内,该些第二主动区位于一 周边电路区内; 对该些第一主动区与第二主动区进行一第一离子 植入步骤,以分别于该些第一与第二主动区之该基 底中形成复数个井掺杂区; 在该基底上形成图案化之一光阻层,该光阻层具有 复数个第一开口暴露出该些第一主动区之边缘,还 有复数个第二开口暴露出该些第二主动区; 以该光阻层为罩幕,进行该第二离子植入步骤,以 于该些第二主动区形成一第二通道离子掺杂区,并 适度增加该些第一主动区边缘之离子浓度;以及 对该些第一主动区进行一第三离子植入步骤,以于 该些第一主动区形成一第一通道离子掺杂区。14. 如申请专利范围第13项所述之防止浅沟渠隔离降 低金氧半电晶体启始电位之方法,其中该第一离子 植入步骤、该第二离子植入步骤以及该第三离子 植入步骤均使用同型的离子。15.如申请专利范围 第13项所述之防止浅沟渠隔离降低金氧半电晶体 启始电位之方法,其中该第二离子植入步骤中所使 用的离子剂量约为1E13原子/平方公分。16.如申请 专利范围第13项所述之防止浅沟渠隔离降低金氧 半电晶体启始电位之方法,其中该第三离子植入步 骤中所使用的离子剂量约为3E13原子/平方公分。17 .如申请专利范围第13项所述之防止浅沟渠隔离降 低金氧半电晶体启始电位之方法,其中适度增加该 些第一主动区边缘之离子浓度的方法包括适度调 整该光阻层之一厚度。18.如申请专利范围第13项 所述之防止浅沟渠隔离降低金氧半电晶体启始电 位之方法,其中适度增加该些第一主动区边缘之离 子浓度的方法包括适度调整该些第一开口之宽度 以及该些第一开口分别与该些第一主动区边缘之 相对位置。19.如申请专利范围第13项所述之防止 浅沟渠隔离降低金氧半电晶体启始电位之方法,其 中适度增加该些第一主动区边缘之离子浓度的方 法包括适度调整该第二离子植入步骤之一离子植 入角。图式简单说明: 第1A图系绘示浅沟渠隔离的俯视图; 第1B图系绘示第1A图之I-I'切线的剖面图; 第2图系绘示闸极线宽为0.18微米之P型金氧半场效 应电晶体,其启始电位对通道宽度的变化图; 第3图系绘示闸极线宽为0.18微米之N型金氧半场效 应电晶体,其启始电位对通道宽度的变化图; 第4A图系绘示本发明之一种防止浅沟渠隔离降低 金氧半电晶体启始电位之方法,在进行第一离子植 入步骤时的俯视图; 第4B图左/右系绘示第4A图之II-II'切线/III-III'切线 的剖面图; 第5A图系绘示本发明之一种防止浅沟渠隔离降低 金氧半电晶体启始电位之方法,在进行第二离子植 入步骤时的俯视图; 第5B图左/右系绘示第5A图之II-II'切线/III-III'切线 的剖面图; 第5C图系绘示第5A图之IV-IV'切线的放大剖面图,以 说明第二光阻层的阴影效应; 第6A图系绘示本发明之一种防止浅沟渠隔离降低 金氧半电晶体启始电位之方法,在进行第三离子植 入步骤时的俯视图; 第6B图左/右系绘示第6A图之II-II'切线/III-III'切线 的剖面图; 第6C图系绘示第6A图之III-III'切线的放大剖面图; 第7A图系绘示本发明之一种防止浅沟渠隔离降低 金氧半电晶体启始电位之方法,在形成闸极时的俯 视图;以及 第7B图左/右系绘示第7A图之II-II'切线/III-III'切线 的剖面图。 |
