| 主权项 |
1.一种靶材,其包含:透明基板,其具有对向配置之 第一及第二表面;气体产生膜,其系配置于上述第 一表面上;及靶膜,其系配置于上述气体产生膜上, 其系利用来自上述第二表面之雷射照射,在与上述 靶膜对向配置的半导体基板上形成薄膜。2.根据 申请专利范围第1项之靶材,其中上述透明基板材 料从石英、玻璃及树脂中选择。3.根据专利申请 范围第1项之靶材,其中上述透明基板之第一表面 具有复数个凹部,透过上述气体产生膜可在上述凹 部内形成靶膜。4.根据申请专利范围第1项之靶材, 其中上述气体产生膜系由硝化纤维素或tetrasol等 气体产生剂所形成。5.根据专利申请范围第1项之 靶材,其中上述气体产生膜包含网目状之热吸收体 。6.根据申请专利范围第5项之靶材,其中上述网目 状之热吸收体材质由碳纤维及碳网目来选择。7. 根据申请专利范围第1项之靶材,其中上述气体产 生膜包含碳微粒。8.根据申请专利范围第1项之靶 材,其中上述靶膜由金、铝、铜等金属所构成。9. 根据申请专利范围第1项之靶材,其中上述靶膜是 矽材质之半导体。10.根据申请专利范围第1项之靶 材,其中上述靶膜是矽氧化物、矽氮化物类的绝缘 物。11.一种靶材,其包含:透明基板,其具有对向配 置之第一及第二表面;及靶膜,其系由配置于上述 第一表面之导电胶所形成,其系利用来自上述第二 表面的雷射照射,在与上述靶膜对向配置的半导体 基板上形成薄膜。12.根据申请专利范围第11项之 靶材,其中上述导电胶包含了可因雷射照射而气化 的溶剂。13.一种靶材,其包含:透明基板,其具有对 向配置之第一及第二表面;气体产生膜,其系配置 于上述第一表面上;遮罩图样,其系在上述气体产 生膜上形成;及靶膜,其系由埋于上述遮罩图样中 之导电胶所形成,其系利用来自上述第二表面的雷 射照射,在与上述靶膜对向配置的半导体基板上形 成薄膜。14.根据申请专利范围第13项之靶材,其中 上述导电胶包含了碳粒子。15.根据申请专利范围 第1项之靶材,其中在上述半导体基板上形成的上 述薄膜为薄膜(thin film)。16.根据申请专利范围第1 项之靶材,其中在上述半导体基板上形成的上述薄 膜为厚膜(thick film)。17.根据申请专利范围第1项之 靶材,其中上述雷射照射作业为利用具有波长300 nm 以下之雷射装置来进行。18.根据申请专利范围第5 项之靶材,其中上述雷射照射作业为利用具有波长 300 nm以上之雷射装置来进行。19.一种在半导体基 板上形成薄膜的方法,其包含: 准备工序,系用于准备具有对向配置之第一和第二 表面的透明基板; 气体产生膜形成工序,其系在上述第一表面形成; 靶膜形成工序,其系用来在上述气体产生膜上形成 靶膜;及 半导体基板配置工序,其系用来在上述靶膜的对面 配置半导体基板,及 该方法系对上述靶膜实施雷射照射,在上述半导体 基板上描绘上述靶膜来形成薄膜。20.根据申请专 利范围第19项之半导体基板上形成薄膜的方法,其 系利用上述雷射照射使上述气体产生膜产生气化 。21.根据申请专利范围第19项之半导体基板上形 成薄膜的方法,其中上述气体产生膜是由硝化纤维 素或tetrasol等气体产生剂所构成。22.根据申请专 利范围第19项之半导体基板上形成薄膜的方法,其 中上述靶膜是由金属、半导体及绝缘物所构成。 23.一种在半导体基板上形成薄膜的方法,其包含: 准备工序,系用于准备具有对向配置之第一和第二 表面的透明基板; 靶膜形成工序,该靶膜系由含有经雷射照射而产生 气化之溶剂的导电胶所构成;及 半导体基板配置工序,其系用来在上述靶膜的对面 配置半导体基板, 该方法系对上述靶膜实施雷射照射,在上述半导体 基板上描绘上述靶膜来形成薄膜。24.根据申请专 利范围第23项之半导体基板上形成薄膜的方法,其 中在上述半导体基板上形成的上述薄膜为导电性 薄膜。25.根据申请专利范围第23项之半导体基板 上形成薄膜的方法,其中在上述半导体基板上形成 的上述薄膜为导电性厚膜。26.一种半导体制造方 法,其包含: 气体产生物质薄膜之形成工序,其系面对雷射在透 明基板上进行雷射照射来形成上述薄膜;及 气体产生物质之气化工序,其系从上述透明基板, 选择性地以雷射光照射上述气体产生物质薄膜,使 上述气体产生物质薄膜产生气化, 该方法系使上述气体产生物质产生气化,来驱动充 填于上述气体产生物质周边之蚀刻气体,使蚀刻气 体吹到设置于位于上述气体产生物质薄膜前方之 半导体基板上,对上述半导体基板上之薄膜实施选 择性的蚀刻作业。27.根据申请专利范围第26项之 半导体装置的制造方法,其中充填于上述气体产生 物质周边之蚀刻气体为氯气,利用雷射照射可对上 述半导体基板上所形成的金属薄膜进行选择性的 蚀刻作业。图式简单说明: 图1为本发明实施例之靶材的剖面图。 图2为本发明实施例所用之雷射照射装置的概略剖 面图。 图3为本发明实施例所用之雷射照射装置的概略剖 面图。 图4A到图4C为本发明实施例中,在半导体基板上薄 膜形成工序之剖面图。 图5为依照本实施例之包含衬垫之半导体基板的剖 面图。 图6A及图6B为与传统方法相较时,本发明形成薄膜 之制造工序的剖面图。 图7A及图7B为与传统方法相较时,本发明形成薄膜 之制造工序的剖面图。 图8A及图8B为与传统方法相较时,本发明形成薄膜 之制造工序的剖面图。 图9为本发明实施例之靶材的剖面图。 图10A到图10D为传统方式实施例中,在半导体基板上 薄膜形成工序之剖面图。 图11为依照本发明实施例,在半导体基板上薄膜形 成之制造工序的剖面图。 图12为本发明实施例之靶材的剖面图。 图13为依照本发明实施例,在半导体基板上薄膜形 成之制造工序的剖面图。 图14为依照本实施例之包含金属凸块之靶材的剖 面图。 图15A及15B为本发明实施例中,在半导体基板上金属 凸块形成工序之剖面图。 图16A及16B为本发明实施例中,在半导体基板上金属 凸块形成工序之剖面图。 图17为本发明实施例中,在半导体基板上之配线层 的平面图。 图18为利用传统雷射之蒸着装置的一般剖面图。 图19A及19B为利用传统雷射,在半导体基板上进行选 择性金属膜描绘时,该工序之剖面图。 图20A及20B为本发明实施例中,靶材及用半导体雷射 光在基板上形成薄膜之工序的剖面图。 图21A及21B为本发明实施例中,靶材及用半导体雷射 光在基板上形成铜凸块之工序的剖面图。 图22A及22B为本发明实施例中,靶材及用半导体雷射 光在基板上形成铜衬垫,以及在其上附着碳微粒时 的剖面图。 图23A及23B本发明实施例中显示了:靶材,其包含埋 于遮罩图样之导电胶;以及用半导体雷射光在基板 上形成导电层之剖面图。 图24A至24D为本发明实施例中,使用有凹部之透明基 板的靶材之制造工序剖面图。 图25为本发明实施例中所使用之制造装置之概略 图。 图26为本发明实施例中所使用之气体产生剂供应 装置及其喷嘴之剖面图。 图27A及27B为利用图25及26之制造装置之选择性除膜 工程的剖面图。 图28A及28B为利用图25及26之制造装置之选择性除膜 工程的剖面图。 |
