| 主权项 |
1.一种液晶显示装置,其包括: 一图素电极; 至少一薄膜电晶体,用以切换该图素电极; 一液晶层,与该图素电极相邻, 该薄膜电晶体包括: 一多晶半导体层,其形成于一绝缘面之上; 一第一对杂质区,其形成在该多晶半导体层中,其 中该第一对杂质区以第一浓度而被掺杂具有一导 电类型之杂质; 一通道区,其形成在介于该对杂质区之间的该多晶 半导体层中; 一第二对杂质区,其形成在该第一对杂质区与该通 道区之间,其中该第二对杂质区以低于该第一浓度 之第二浓度而被掺杂具有该导电类型之杂质; 一闸极电极,与该通道区相邻,具有一闸极绝缘膜 配置放其间; 一中间层绝缘膜,其形成于该多晶半导体层之上; 一有机树脂膜,其形成于该中间层绝缘膜之上,该 有机树脂膜具有一平整的上表面; 一图素电极,其形成于该有机树脂膜之上。2.如申 请专利范围第1项之装置,其中该第二对杂质区具 有与该第一对杂质区相同的导电类型。3.如申请 专利范围第1项之装置,其中该多晶半导体层具有10 -200cm2/Vsec之电洞迁移率(h)或15到300cm2/Vsec之电子 迁移率(e)。4.如申请专利范围第1项之装置,其中 该闸极电极包括一种选自含有Ti、Al、Ta、Cr及Si之 群组中的材料。5.如申请专利范围第1项之装置,其 中该中间层绝缘膜包括矽氧化物。6.如申请专利 范围第1项之装置,其中该图素电极系透明的。7.如 申请专利范围第1项之装置,其中该中间层绝缘膜 具有在从0.2到0.6m之范围内的厚度。8.如申请专 利范围第1项之装置,其中该薄膜电晶体系顶-闸极 型电晶体。9.一种主动矩阵型装置,其包括: 一基体,其具有一绝缘面; 一薄膜电晶体,其形成于该基体之上,其中该薄膜 电晶体包括: 一半导体岛,其包括多晶矽; 一通道形成区,在该半导体岛之中; 源极和汲极区,其形成在该半导体岛之中,具有该 通道形成区配置于其间; 一对杂质区,其配置在该源极和汲极区与该通道形 成区之间,其中该对杂质区具有比该源极和汲极区 还大的能带间隙;以及 一闸极电极,与该通道形成区相邻,具有一闸极绝 缘膜配置于其间; 一中间层绝缘膜,其覆盖该薄膜电晶体; 一平坦化膜,其包括形成在该中间层绝缘膜上之有 机树脂;以及 一图素电极,其形成在该平坦化膜之上并且经由该 平坦化膜之孔洞而与该薄膜电晶体连接。10.一种 主动矩阵型装置,其包括: 一基体,其具有一绝缘面; 一薄膜电晶体,其形成于该基体之上,其中该薄膜 电晶体包括: 一半导体岛,其包括多晶矽; 一通道形成区,在该半导体岛之中; 源极和汲极区,其形成在该半导体岛之中,具有该 通道形成区配置于其间; 一对杂质区,其配置在该源极和汲极区与该通道形 成区之间,其中该对杂质区具有比该源极和汲极区 还低的结晶性;以及 一闸极电极,与该通道形成区相邻,具有一闸极绝 缘膜配置于其间; 一中间层绝缘膜,其覆盖该薄膜电晶体; 一平坦化膜,其包括形成在该中间层绝缘膜上之有 机树脂;以及 一图素电极,其形成在该平坦化膜之上并且经由该 平坦化膜之孔洞而与该薄膜电晶体连接。11.一种 主动矩阵型装置,其包括: 一基体,其具有一绝缘面; 一薄膜电晶体,其形成于该基体之上,其中该薄膜 电晶体包括: 一半导体岛,其包括多晶矽; 一通道形成区,在该半导体岛之中; 源极和汲极区,其形成在该半导体岛之中,具有该 通道形成区配置于其间; 一对杂质区,其配置在该源极和汲极区与该通道形 成区之间,其中该对杂质区含有以一种比该源极和 汲极区还低之浓度的掺杂杂质;以及 一闸极电极,与该通道形成区相邻,具有一闸极绝 缘膜配置于其间; 一中间层绝缘膜,其覆盖该薄膜电晶体; 一导电层,其形成在该中间层绝缘膜之上并且经由 该中间层绝缘膜之第一接触孔而与该薄膜电晶体 之源极和汲极区的其中之一相连接; 一平坦化膜,其包括形成在该中间层绝缘膜及该导 电层上之有机树脂;以及 一图素电极,其形成在该平坦化膜之上并且经由该 平坦化膜之第二接触孔而与该导电层相连接, 其中该第二接触孔并没有和该第一接触孔重叠。 12.如申请专利范围第11项之装置,其中该导电层包 括铝。13.如申请专利范围第11项之装置,其中该闸 极电极系位在该通道形成区之上。14.如申请专利 范围第11项之装置,其中该中间层绝缘膜包括矽氧 化物。15.如申请专利范围第11项之装置,其中该平 坦化膜包括聚醯亚胺。16.如申请专利范围第11项 之装置,其中该多晶半导体层具有10-200cm2/Vsec之电 洞迁移率(h)或15到300cm2/Vsec之电子迁移率(e)。 17.如申请专利范围第11项之装置,其中该闸极电极 包括一种选自含有Ti。Al、Ta、Cr及Si之群组中的材 料。18.如申请专利范围第11项之装置,其中该图素 电极系透明的。19.如申请专利范围第11项之装置, 其中该中间层绝缘膜具有在从0.2到0.6m之范围内 的厚度。20.一种主动矩阵型装置,其包括: 一基体,其具有一绝缘面; 一薄膜电晶体,其形成于该基体之上,其中该薄膜 电晶体包括: 一半导体岛,其包括多晶矽; 一通道形成区,在该半导体岛之中; 源极和汲极区,其形成在该半导体岛之中,具有该 通道形成区配置于其间; 一对杂质区,其配置在该源极和汲极区与该通道形 成区之间,其中该对杂质区具有比该源极和汲极区 还大的能带间隙;以及 一闸极电极,与该通道形成区相邻,具有一闸极绝 缘膜配置于其间; 一中间层绝缘膜,其覆盖该薄膜电晶体; 一导电层,其形成在该中间层绝缘膜之上并且经由 该中间层绝缘膜之第一接触孔而与该薄膜电晶体 之源极和汲极区的其中之一相连接; 一平坦化膜,其包括形成在该中间层绝缘膜及该导 电层上之有机树脂;以及 一图素电极,其形成在该平坦化膜之上并且经由该 平坦化膜之第二接触孔而与该导电层相连接, 其中该第二接触孔并没有和该第一接触孔重叠。 21.一种主动矩阵型装置,其包括: 一基体,其具有一绝缘面; 一薄膜电晶体,其形成于该基体之上,其中该薄膜 电晶体包括: 一半导体岛,其包括多晶矽; 一通道形成区,在该半导体岛之中; 源极和汲极区,其形成在该半导体岛之中,具有该 通道形成区配置于其间; 一对杂质区,其配置在该源极和汲极区与该通道形 成区之间,其中该对杂质区具有比该源极和汲极区 还低的结晶性;以及 一闸极电极,与该通道形成区相邻,具有一闸极绝 缘膜配置于其间; 一中间层绝缘膜,其覆盖该薄膜电晶体; 一导电层,其形成在该中间层绝缘膜之上并且经由 该中间层绝缘膜之第一接触孔而与该薄膜电晶体 之源极和汲极区的其中之一相连接; 一平坦化膜,其包括形成在该中间层绝缘膜及该导 电层上之有机树脂;以及 一图素电极,其形成在该平坦化膜之上并且经由该 平坦化膜之第二接触孔而与该导电层相连接, 其中该第二接触孔并没有和该第一接触孔重叠。 22.一种主动矩阵型装置,其包括: 一基体,其具有一绝缘面; 一薄膜电晶体,其形成于该基体之上,其中该薄膜 电晶体包括: 一半导体岛,其包括多晶矽; 一通道形成区,在该半导体岛之中; 源极和汲极区,其形成在该半导体岛之中,具有该 通道形成区配置于其间; 一对杂质区,其配置在该源极和汲极区与该通道形 成区之间,其中该对杂质区含有以一种比该源极和 汲极区还低之浓度的掺杂杂质;以及 一闸极电极,与该通道形成区相邻,具有一闸极绝 缘膜配置于其间; 一中间层绝缘膜,其覆盖该薄膜电晶体; 一导电层,其形成在该中间层绝缘膜之上并且经由 该中间层绝缘膜之第一接触孔而与该薄膜电晶体 之源极和汲极区的其中之一相连接; 一平坦化膜,其包括形成在该中间层绝缘膜及该导 电层上之有机树脂;以及 一图素电极,其形成在该平坦化膜之上并且经由该 平坦化膜之第二接触孔而与该导电层相连接, 其中该导电层具有一扩展自该第一接触孔之扩展 部分并且该图素电极接触该扩展部分。23.如申请 专利范围第22项之装置,其中该导电层包括铝。24. 如申请专利范围第22项之装置,其中该闸极电极系 位在该通道形成区之上。25.如申请专利范围第22 项之装置,其中该中间层绝缘膜包括矽氧化物。26. 如申请专利范围第22项之装置,其中该平坦化膜包 括聚醯亚胺。27.如申请专利范围第22项之装置,其 中该多晶半导体层具有10-200cm2/Vsec之电洞迁移率( h)或15到300cm2/Vsec之电子迁移率(e)。28.如申请 专利范围第22项之装置,其中该图素电极系透明的 。29.如申请专利范围第22项之装置,其中该中间层 绝缘膜具有在从0.2到0.6m之范围内的厚度。30.一 种主动矩阵型装置,其包括: 一基体,其具有一绝缘面; 一薄膜电晶体,其形成于该基体之上,其中该薄膜 电晶体包括: 一半导体岛,其包括多晶矽; 一通道形成区,在该半导体岛之中; 源极和汲极区,其形成在该半导体岛之中,具有该 通道形成区配置于其间; 一对杂质区,其配置在该源极和汲极区与该通道形 成区之间,其中该对杂质区具有比该源极和汲极区 还大的能带间隙;以及 一闸极电极,与该通道形成区相邻,具有一闸极绝 缘膜配置于其间; 一中间层绝缘膜,其覆盖该薄膜电晶体; 一导电层,其形成在该中间层绝缘膜之上并且经由 该中间层绝缘膜之第一接触孔而与该薄膜电晶体 之源极和汲极区的其中之一相连接; 一平坦化膜,其包括形成在该中间层绝缘膜及该导 电层上之有机树脂;以及 一图素电极,其形成在该平坦化膜之上并且经由该 平坦化膜之第二接触孔而与该导电层相连接, 其中该导电层具有一扩展自该第一接触孔之扩展 部分并且该图素电极接触该扩展部分。31.一种主 动矩阵型装置,其包括: 一基体,其具有一绝缘面; 一薄膜电晶体,其形成于该基体之上,其中该薄膜 电晶体包括: 一半导体岛,其包括多晶矽; 一通道形成区,在该半导体岛之中; 源极和汲极区,其形成在该半导体岛之中,具有该 通道形成区配置于其间; 一对杂质区,其配置在该源极和汲极区与该通道形 成区之间,其中该对杂质区具有比该源极和汲极区 还低的结晶性;以及 一闸极电极,与该通道形成区相邻,具有一闸极绝 缘膜配置于其间; 一中间层绝缘膜,其覆盖该薄膜电晶体; 一导电层,其形成在该中间层绝缘膜之上并且经由 该中间层绝缘膜之第一接触孔而与该薄膜电晶体 之源极和汲极区的其中之一相连接; 一平坦化膜,其包括形成在该中间层绝缘膜及该导 电层上之有机树脂;以及 一图素电极,其形成在该平坦化膜之上并且经由该 平坦化膜之第二接触孔而与该导电层相连接, 其中该导电层具有一扩展自该第一接触孔之扩展 部分并且该图素电极接触该扩展部分。32.一种主 动矩阵型装置,其包括: 一基体,其具有一绝缘面; 一薄膜电晶体,其形成于该基体之上,其中该薄膜 电晶体包括: 一半导体岛,其包括多晶矽; 一通道形成区,在该半导体岛之中; 源极和汲极区,其形成在该半导体岛之中,具有该 通道形成区配置于其间; 一闸极电极,与该通道形成区相邻,具有一闸极绝 缘膜配置于其间; 一中间层绝缘膜,其覆盖该薄膜电晶体; 一导电层,其形成在该中间层绝缘膜之上并且经由 该中间层绝缘膜之第一接触孔而与该薄膜电晶体 之源极和汲极区的其中之一相连接; 一平坦化膜,其包括形成在该中间层绝缘膜及该导 电层上之有机树脂;以及 一图素电极,其形成在该平坦化膜之上并且经由该 平坦化膜之第二接触孔而与该导电层相连接, 其中该第二接触孔并没有和该第一接触孔重叠。 33.如申请专利范围第32项之装置,其中该导电层包 括铝。34.如申请专利范围第32项之装置,其中该闸 极电极系位在该通道形成区之上。35.如申请专利 范围第32项之装置,其中该中间层绝缘膜包括矽氧 化物。36.如申请专利范围第32项之装置,其中该平 坦化膜包括聚醯亚胺。37.如申请专利范围第32项 之装置,其中该多晶半导体层具有10-200cm2/Vsec之电 洞迁移率(h)或15到300cm2/Vsec之电子迁移率(e)。 38.如申请专利范围第32项之装置,其中该闸极电极 包括一种选自含有Ti。Al、Ta、Cr及Si之群组中的材 料。39.如申请专利范围第32项之装置,其中该图素 电极系透明的。40.如申请专利范围第32项之装置, 其中该中间层绝缘膜具有在从0.2到0.6m之范围内 的厚度。41.一种主动矩阵型装置,其包括: 一基体,其具有一绝缘面; 一薄膜电晶体,其形成于该基体之上,其中该薄膜 电晶体包括: 一半导体岛,其包括多晶矽; 一通道形成区,在该半导体岛之中; 源极和汲极区,其形成在该半导体岛之中,具有该 通道形成区配置于其间; 一闸极电极,与该通道形成区相邻,具有一闸极绝 缘膜配置于其间; 一中间层绝缘膜,其覆盖该薄膜电晶体; 一导电层,其形成在该中间层绝缘膜之上并且经由 该中间层绝缘膜之第一接触孔而与该薄膜电晶体 之源极和汲极区的其中之一相连接; 一平坦化膜,其包括形成在该中间层绝缘膜及该导 电层上之有机树脂;以及 一图素电极,其形成在该平坦化膜之上并且经由该 平坦化膜之第二接触孔而与该导电层相连接, 其中该导电层具有一扩展自该第一接触孔之扩展 部分并且该图素电极接触该扩展部分。42.如申请 专利范围第41项之装置,其中该导电层包括铝。43. 如申请专利范围第41项之装置,其中该闸极电极系 位在该通道形成区之上。44.如申请专利范围第41 项之装置,其中该中间层绝缘膜包括矽氧化物。45. 如申请专利范围第41项之装置,其中该平坦化膜包 括聚醯亚胺。46.如申请专利范围第41项之装置,其 中该多晶半导体层具有10-200cm2/Vsec之电洞迁移率( h)或15到300cm2/Vsec之电子迁移率(e)。47.如申请 专利范围第41项之装置,其中该图素电极系透明的 。48.如申请专利范围第41项之装置,其中该中间层 绝缘膜具有在从0.2到0.6m之范围内的厚度。49.一 种主动矩阵型装置,其包括: 一基体,其具有一绝缘面; 一薄膜电晶体,其形成于该基体之上,其中该薄膜 电晶体包括: 一半导体岛,其包括多晶矽; 一通道形成区,在该半导体岛之中; 源极和汲极区,其形成在该半导体岛之中,具有该 通道形成区配置于其间; 一对杂质区,其配置在该源极和汲极区与该通道形 成区之间,其中该对杂质区含有以一种比该源极和 汲极区还低之浓度的掺杂杂质;以及 一闸极电极,与该通道形成区相邻,具有一闸极绝 缘膜配置于其间; 一中间层绝缘膜,其覆盖该薄膜电晶体; 一导电层,其形成在该中间层绝缘膜之上并且经由 该中间层绝缘膜之第一接触孔而与该薄膜电晶体 之源极和汲极区的其中之一相连接; 一平坦化膜,其包括形成在该中间层绝缘膜及该导 电层上之有机树脂;以及 一图素电极,其形成在该平坦化膜之上并且经由该 平坦化膜之第二接触孔而与该导电层相连接, 其中该通道形成区被掺杂有浓度为11015到11018 atoms/cm3之硼。50.如申请专利范围第49项之装置,其 中该导电层包括铝。51.如申请专利范围第49项之 装置,其中该闸极电极系位在该通道形成区之上。 52.如申请专利范围第49项之装置,其中该中间层绝 缘膜包括矽氧化物。53.如申请专利范围第49项之 装置,其中该平坦化膜包括聚醯亚胺。54.如申请专 利范围第49项之装置,其中该多晶半导体层具有10- 200cm2/Vsec之电洞迁移率(h)或15到300cm2/Vsec之电子 迁移率(e)。55.如申请专利范围第49项之装置,其 中该闸极电极包括一种选自含有Ti。A1.Ta、Cr及Si 之群组中的材料。56.如申请专利范围第49项之装 置,其中该图素电极系透明的。57.如申请专利范围 第49项之装置,其中该中间层绝缘膜具有在从0.2到0 .64m之范围内的厚度。58.一种主动矩阵型装置, 其包括: 一基体,其具有一绝缘面; 一薄膜电晶体,其形成于该基体之上,其中该薄膜 电晶体包括: 一半导体岛,其包括多晶矽; 一通道形成区,在该半导体岛之中; 源极和汲极区,其形成在该半导体岛之中,具有该 通道形成区配置于其间; 一对杂质区,其配置在该源极和汲极区与该通道形 成区之间,其中该对杂质区具有比该源极和汲极区 还大的能带间隙;以及 一闸极电极,与该通道形成区相邻,具有一闸极绝 缘膜配置于其间; 一中间层绝缘膜,其覆盖该薄膜电晶体; 一导电层,其形成在该中间层绝缘膜之上并且经由 该中间层绝缘膜之第一接触孔而与该薄膜电晶体 之源极和汲极区的其中之一相连接; 一平坦化膜,其包括形成在该中间层绝缘膜及该导 电层上之有机树脂;以及 一图素电极,其形成在该平坦化膜之上并且经由该 平坦化膜之第二接触孔而与该导电层相连接, 其中该通道形成区被掺杂有浓度为11015到11018 atoms/cm3之硼。59.一种主动矩阵型装置,其包括: 一基体,其具有一绝缘面; 一薄膜电晶体,其形成于该基体之上,其中该薄膜 电晶体包括: 一半导体岛,其包括多晶矽; 一通道形成区,在该半导体岛之中; 源极和汲极区,其形成在该半导体岛之中,具有该 通道形成区配置于其间; 一对杂质区,其配置在该源极和汲极区与该通道形 成区之间,其中该对杂质区具有比该源极和汲极区 还低的结晶性;以及 一闸极电极,与该通道形成区相邻,具有一闸极绝 缘膜配置于其间; 一中间层绝缘膜,其覆盖该薄膜电晶体; 一导电层,其形成在该中间层绝缘膜之上并且经由 该中间层绝缘膜之第一接触孔而与该薄膜电晶体 之源极和汲极区的其中之一相连接; 一平坦化膜,其包括形成在该中间层绝缘膜及该导 电层上之有机树脂;以及 一图素电极,其形成在该平坦化膜之上并且经由该 平坦化膜之第二接触孔而与该导电层相连接, 其中该通道形成区被掺杂有浓度为11015到11018 atoms/cm3之硼。60.一种主动矩阵型装置,其包括: 一基体,其具有一绝缘面; 一薄膜电晶体,其形成于该基体之上,其中该薄膜 电晶体包括: 一半导体岛,其包括多晶矽; 一通道形成区,在该半导体岛之中; 源极和汲极区,其形成在该半导体岛之中,具有该 通道形成区配置于其间; 一对杂质区,其配置在该源极和汲极区与该通道形 成区之间,其中该对杂质区含有以一种比该源极和 汲极区还低之浓度的掺杂杂质;以及 一闸极电极,与该通道形成区相邻,具有一闸极绝 缘膜配置于其间; 一中间层绝缘膜,其覆盖该薄膜电晶体; 一导电层,其形成在该中间层绝缘膜之上并且经由 该中间层绝缘膜之第一接触孔而与该薄膜电晶体 之源极和汲极区的其中之一相连接; 一平坦化膜,其包括形成在该中间层绝缘膜及该导 电层上之有机树脂;以及 一图素电极,其形成在该平坦化膜之上并且经由该 平坦化膜之第二接触孔而与该导电层相连接, 其中该半导体岛显现一自522cm-1偏移向较低频率侧 之拉曼(Raman)光谱学的峰値。61.如申请专利范围第 60项之装置,其中该导电层包括铝。62.如申请专利 范围第60项之装置,其中该闸极电极系位在该通道 形成区之上。63.如申请专利范围第60项之装置,其 中该中间层绝缘膜包括矽氧化物。64.如申请专利 范围第60项之装置,其中该平坦化膜包括聚醯亚胺 。65.如申请专利范围第60项之装置,其中该多晶半 导体层具有10-200cm2/Vsec之电洞迁移率(h)或15到300 cm2/Vsec之电子迁移率(e)。66.如申请专利范围第60 项之装置,其中该闸极电极包括一种选自含有Ti。 Al、Ta、Cr及Si之群组中的材料。67.如申请专利范 围第60项之装置,其中该图素电极系透明的。68.如 申请专利范围第60项之装置,其中该中间层绝缘膜 具有在从0.2到0.6m之范围内的厚度。69.一种主动 矩阵型装置,其包括: 一基体,其具有一绝缘面; 一薄膜电晶体,其形成于该基体之上,其中该薄膜 电晶体包括: 一半导体岛,其包括多晶矽; 一通道形成区,在该半导体岛之中; 源极和汲极区,其形成在该半导体岛之中,具有该 通道形成区配置于其间; 一对杂质区,其配置在该源极和汲极区与该通道形 成区之间,其中该对杂质区具有比该源极和汲极区 还大的能带间隙;以及 一闸极电极,与该通道形成区相邻,具有一闸极绝 缘膜配置于其间; 一中间层绝缘膜,其覆盖该薄膜电晶体; 一导电层,其形成在该中间层绝缘膜之上并且经由 该中间层绝缘膜之第一接触孔而与该薄膜电晶体 之源极和汲极区的其中之一相连接; 一平坦化膜,其包括形成在该中间层绝缘膜及该导 电层上之有机树脂;以及 一图素电极,其形成在该平坦化膜之上并且经由该 平坦化膜之第二接触孔而与该导电层相连接, 其中该半导体岛显现一自522cm-1偏移向较低频率侧 之拉曼(Raman)光谱学的峰値。70.一种主动矩阵型装 置,其包括: 一基体,其具有一绝缘面; 一薄膜电晶体,其形成于该基体之上,其中该薄膜 电晶体包括: 一半导体岛,其包括多晶矽; 一通道形成区,在该半导体岛之中; 源极和汲极区,其形成在该半导体岛之中,具有该 通道形成区配置于其间; 一对杂质区,其配置在该源极和汲极区与该通道形 成区之间,其中该对杂质区具有比该源极和汲极区 还低的结晶性;以及 一闸极电极,与该通道形成区相邻,具有一闸极绝 缘膜配置于其间; 一中间层绝缘膜,其覆盖该薄膜电晶体; 一导电层,其形成在该中间层绝缘膜之上并且经由 该中间层绝缘膜之第一接触孔而与该薄膜电晶体 之源极和汲极区的其中之一相连接; 一平坦化膜,其包括形成在该中间层绝缘膜及该导 电层上之有机树脂;以及 一图素电极,其形成在该平坦化膜之上并且经由该 平坦化膜之第二接触孔而与该导电层相连接, 其中该半导体岛显现一自522cm-1偏移向较低频率侧 之拉曼(Raman)光谱学的峰値。71.一种主动矩阵型液 晶显示装置,其包括: 一图素电极; 至少一薄膜电晶体,用以切换该图素电极; 该薄膜电晶体包括: 一多晶半导体层,其形成于一绝缘面之上; 一第一对杂质区,其形成在该多晶半导体层中,其 中该第一对杂质区以第一浓度而被掺杂具有一导 电类型之杂质; 一通道区,其形成在介于该对杂质区之间的该多晶 半导体层中; 一第二对杂质区,其形成在该第一对杂质区与该通 道区之间,其中该第二对杂质区以低于该第一浓度 之第二浓度而被掺杂具有该导电类型之杂质; 一闸极电极,与该通道区相邻,具有一闸极绝缘膜 配置放其间; 一中间层绝缘膜,其形成于该多晶半导体层之上; 一有机树脂膜,其形成于该中间层绝缘膜之上,该 有机树脂膜具有一平整的上表面; 一图素电极,其形成于该有机树脂膜之上。72.如申 请专利范围第71项之装置,其中该第二对杂质区具 有与该第一对杂质区相同的导电类型。73.如申请 专利范围第71项之装置,其中该多晶半导体层具有 10-200cm2/Vsec之电洞迁移率(h)或15到300cm2/Vsec之电 子迁移率(e)。74.如申请专利范围第71项之装置, 其中该闸极电极包括一种选自含有Ti、A1.Ta、Cr及 Si之群组中的材料。75.如申请专利范围第71项之装 置,其中该中间层绝缘膜包括矽氧化物。76.如申请 专利范围第71项之装置,其中该图素电极系透明的 。77.如申请专利范围第71项之装置,其中该中间层 绝缘膜具有在从0.2到0.6m之范围内的厚度。78.如 申请专利范围第71项之装置,其中该薄膜电晶体系 顶-闸极型电晶体。79.如申请专利范围第71项之装 置,其中该装置系液晶装置。80.一种主动矩阵型装 置,其包括: 一基体,其具有一绝缘面; 一薄膜电晶体,其形成于该基体之上,其中该薄膜 电晶体包括: 一半导体岛,其包括一多晶矽; 一通道形成区,在该半导体岛之中; 源极和汲极区,其具有该通道形成区配置于其间; 以及 一闸极电极,与该通道形成区相邻,具有一闸极绝 缘膜配置于其间; 一中间层绝缘膜,其覆盖该薄膜电晶体; 一导电层,其形成在该中间层绝缘膜之上并且经由 该中间层绝缘膜之第一接触孔而与该薄膜电晶体 之源极和汲极区的其中之一相连接; 一平坦化膜,其包括形成在该中间层绝缘膜及该导 电层上之有机树脂;以及 一图素电极,其形成在该平坦化膜之上并且经由该 平坦化膜之第二接触孔而与该导电层相连接, 其中该第二接触孔并没有和该第一接触孔重叠。 81.如申请专利范围第80项之装置,其中该导电层包 括铝。82.如申请专利范围第80项之装置,其中该闸 极电极系位在该通道形成区之上。83.如申请专利 范围第80项之装置,其中该中间层绝缘膜包括矽氧 化物。84.如申请专利范围第80项之装置,其中该平 坦化膜包括聚醯亚胺。85.如申请专利范围第80项 之装置,其中该多晶半导体层具有10-200cm2/Vsec之电 洞迁移率(h)或15到300cm2/Vsec之电子迁移率(e)。 86.如申请专利范围第80项之装置,其中该闸极电极 包括一种选自含有Ti。A1.Ta、Cr及Si之群组中的材 料。87.如申请专利范围第80项之装置,其中该图素 电极系透明的。88.如申请专利范围第80项之装置, 其中该中间层绝缘膜具有在从0.2到0.6m之范围内 的厚度。89.如申请专利范围第80项之装置,其中该 装置系液晶装置。90.一种主动矩阵型装置,其包括 : 一基体,其具有一绝缘面; 一薄膜电晶体,其形成于该基体之上,其中该薄膜 电晶体包括: 一半导体岛,其包括多晶矽; 一通道形成区,在该半导体岛之中; 源极和汲极区,具有该通道形成区配置于其间; 一闸极电极,与该通道形成区相邻,具有一闸极绝 缘膜配置于其间; 一中间层绝缘膜,其覆盖该薄膜电晶体; 一导电层,其形成在该中间层绝缘膜之上并且经由 该中间层绝缘膜之第一接触孔而与该薄膜电晶体 之源极和汲极区的其中之一相连接; 一平坦化膜,其包括形成在该中间层绝缘膜及该导 电层上之有机树脂;以及 一图素电极,其形成在该平坦化膜之上并且经由该 平坦化膜之第二接触孔而与该导电层相连接, 其中该导电层具有一扩展自该第一接触孔之扩展 部分并且该图素电极接触该扩展部分。91.如申请 专利范围第90项之装置,其中该导电层包括铝。92. 如申请专利范围第90项之装置,其中该闸极电极位 在该通道形成区之上。93.如申请专利范围第90项 之装置,其中该中间层绝缘膜包括矽氧化物。94.如 申请专利范围第90项之装置,其中该平坦化膜包括 聚醯亚胺。95.如申请专利范围第90项之装置,其中 该多晶半导体层具有10-200cm2/Vsec之电洞迁移率(h )或15到300cm2/Vsec之电子迁移率(e)。96.如申请专 利范围第90项之装置,其中该图素电极系透明的。 97.如申请专利范围第90项之装置,其中该中间层绝 缘膜具有在从0.2到0.6m之范围内的厚度。图式简 单说明: 图1是依据本创作之半导体装置的截面图; 图2是传统半导体装置的截面图; 图3显示图2之传统半导体装置的电流电压特性; 图4显示图1之新颖半导体装置的电流电压特性; 图5(A)和(B)是传统主动矩阵型液晶电光装置之部分 的电路图; 图6是依据本创作之一部分主动矩阵型液晶电光装 置的电路图,装置形成本创作的例1; 图7是图6之新颖主动矩阵型液晶电光装置之部分 的平面图; 图8(A)-(F)是图6和7之新颖主动矩阵型液晶电光装置 之部分的截面图,显示制造装置的顺序; 图9显示本创作之例2之p通道TFT的电流电压特性; 图10显示本创作之例2之n通道TFT的电流电压特性; 图11显示例2之汲极电流对阳极化膜厚度的相依性; 图12显示例2之临界电压对阳极化膜厚度的相依性; 图13显示例2之场移动率对阳极化膜厚度的相依性; 图14(A)-(D)是依据例2之一部分薄膜电晶体的截面图 ,显示制造装置的顺序; 图15(A)-(C)是图14(A)-(D)之薄膜电晶体的顶视图,显示 制造装置的顺序; 图16(A)-(F)是依据例1之一部分主动液晶电光装置的 截面图; 图17(a)和(b)显示薄膜电晶的特性; 图17(c)-(f)显示依据本创作之薄膜电晶体的操作原 理; 图18(A)-(D)是依据本创作之例5之薄膜电晶体的截面 图,显示制造装置的顺序; 图19(A)-(D)是依据本创作之例6之薄膜电晶体的截面 图,显示制造装置的顺序; 图20是依据本创作之例6之主动矩阵型液晶电光装 置的平坦化图; 图21是依据例7之主动矩阵型液晶电光装置的电路 图; 图21(A)和21(B)显示图21之主动矩阵型液电光装置的 作用; 图22(A)-(C)是依据例6之薄膜电晶体的顶视图,显示 制造装置的顺序。 |
