| 主权项 |
1.一种液晶显示装置,其包含: 一含有一对基板之液晶盒,其中之一基板系提供排 列为矩阵的像素电极、扫瞄及讯号电极与用于像 素电极之激活矩阵控制之激活元件,及在此基板上 之一取向控制层,其余之基板则提供一相对电极及 其上之一取向控制层,以及一填注于该盒内之铁电 液晶,该铁电液晶在该盒内为双稳定,该盒具有如 此之厚度以使在无电场下,液晶不具螺旋结构; 在液盒之两侧上备置为"正交尼科耳"状态的一对 偏光板,该偏光板系以如此之方式予以取向,以使 其偏振方向之一与无电场下铁电液晶的消光位置 之一一致;及 用于响应扫瞄电极所发送的信号,与激活元件的ON 操作同时地施加零或正电压至各信号电极以构成 第一帧之装置,该装置与激活元件的ON操作同时地 施加零或负电压至各信号电极以构成第二帧,藉此 控制所加电压的大小以改变液晶的表观倾角,及依 序组合第一帧及第二帧以显示具灰色标度的影像 。2.如申请专利范围第1项之液晶显示装置,其中该 铁电液晶含有至少一以典型化学式(1)表示之化合 物: (其中每一R1及R2系表示具有3-16个碳之直链或支链 烷基或烷氧基,且每一X1.X2.X3及X4系表示一氢或卤 素 原子,至少其等之一为氟原子),或以典型化学式 (2)表示: (其中每一R3及R4系表示具有3-16个碳之直链或支链 烷基或烷氧基,且每一X5.X6.X7.X8.X9及X10系表示一氢 或卤素原子,至少其等之一为氟原子)。3.如申请专 利范围第2项之液晶显示装置,其中该铁电液晶系 符合下列之关系式: C.Vmax>3.Ps.S 于此C为像素电极所具之每一像素的静电容;Vmax为 经由激活元件施加之至像素的最大电压;S为像素 面积;而PS为铁电液晶之自发偏振的绝对値。4.如 申请专利范围第3项之液晶显示装置,其中该绝对 値Ps为5 nC/cm2或更小。5.如申请专利范围第1项之液 晶显示装置,其中该铁电液晶为一所具螺矩比基板 与被放松于该盒内之螺旋构造体之间的空间较短 之短螺矩铁电液晶。6.如申请专利范围第1项之液 晶显示装置,其中该铁电液晶系符合下列之关系式 : C.Vmax>3.Ps.S 于此C为像素电极所具之每一像素的静电容;Vmax为 经由激活元件施加之至像素的最大电压;S为像素 面积;而Ps为铁电液晶之自发偏振的绝对値。7.如 申请专利范围第6项之液晶显示装置,其中该绝对 値Ps为5 nC/cm2或更小。8.一种液晶显示装置,其包含 : 一含有一对基板之液晶盒,其中之一基板用以提供 扫瞄电极及一取向控制层,其余的一基板系于其上 提供信号电极及一取向控制层,及一填注在该等基 板间之铁电液晶,该铁电液晶在该盒内为双稳定, 该盒具有如此之厚度以使在无电场下,液晶不具螺 旋结构; 在液盒之两侧上备置为"正交尼科耳"状态的一对 偏光板,该偏光板系以如此之方式予以取向,以使 其偏振方向之一与无电场下铁电液晶的消光位置 之一一致;及 施加一正电压或负电压至一系列之电极组,每一电 极组均含有一预定数目的扫瞄及/或信号电极,以 致施加至相邻各电极组之电压的极性均不相同,藉 以形成第一帧,施加一极性与第一帧内者相反的电 压至每一电极组,藉以形成第二帧,藉以控制所加 电压大,以改变液晶的表观倾角,及依序组合第一 帧及第二帧以显示具灰色标度的影像。9.如申请 专利范围第8项之液晶显示装置,其中该预定数目 的扫瞄及/或信号电极系表示一扫瞄及/或信号电 极。10.如申请专利范围第8项之液晶显示装置,其 中该帧系周期性地60赫芝重复出现。11.如申请专 利范围第8项之液晶显示装置,其中该铁电液晶含 有至少一以典型化学式(1)表示之化合物: (其中每一R1及R2系表示具有3-16个碳之直链或支链 烷基或烷氧基,且每一X1.X2.X3及X4系表示一氢或卤 素原子,至少其等之一为氟原子),或以典型化学式( 2)表示: (其中每一R3及R4系表示具有3-16个碳之直链或支链 烷基或烷氧基,且每一X5.X6.X7.X8.X9及X10系表示一氢 或卤素原子,至少其等之一为氟原子)。12.如申请 专利范围第8项之液晶显示装置,其中该铁电液晶 为一所具螺矩比基板与被放松于该盒内之螺旋构 造体之间的空间较短之短螺矩铁电液晶。13.一种 激活矩阵型液晶显示装置,其包含 一含有一对基板之液晶盒,其中之一基板用以提供 排列为矩阵的像素电极、扫瞄及讯号电极及供像 素电极之激活矩阵控制之激活元件及在其上的取 向控制层,其余的一基板系用以提供一相反的电极 及在其上提供一取向控制层,及一填注在该盒内的 铁电液晶,该铁电液晶在该盒内为双稳定,该盒具 有如此之厚度以使在无电场下,液晶不具螺旋结构 ; 在液盒之两侧上备置为"正交尼科耳"状态的一对 偏光板,该偏光板系以如此之方式予以取向,以使 其偏振方向之一与无电场下铁电液晶的消光位置 之一一致;及 施加一正电压或负电压至一系列之电极组,每一电 极组均含有一预定数目的扫瞄及/或信号电极,以 致施加至相邻各电极组之电压的极性均不相同,藉 以形成第一帧,施加一极性与第一帧内者相反的电 压至每一电极组,藉以形成第二帧,藉以控制所加 电压大,以改变液晶的表观倾角,及依序组合第一 帧及第二帧以显示具灰色标度的影像。14.如申请 专利范围第13项之液晶显示装置,其中该预定数目 的扫瞄及/或信号电极系表示一扫瞄及/或信号电 极。15.如申请专利范围第13项之液晶显示装置,其 中该帧系周期性地60赫芝重复出现。16.如申请专 利范围第13项之液晶显示装置,其中该铁电液晶含 有至少一以典型化学式(1)表示之化合物: (其中每一R1及R2系表示具有3-16个碳之直链或支链 烷基或烷氧基,且每一X1.X2.X3及X4系表示一氢或卤 素原子,至少其等之一为氟原子),或以典型化学式( 2)表示: (其中每一R3及R4系表示具有3-16个碳之直链或支链 烷基或烷氧基,且每一X5.X6.X7.X8.X9。及X10系表示一 氢或卤素原子,至少其等之一为氟原子)。17.如申 请专利范围第13项之液晶显示装置,其中该铁电液 晶为一所具螺矩比基板与被放松于该盒内之螺旋 构造体之间的空间较短之短螺矩铁电液晶。18.如 申请专利范围第13项之液晶显示装置,其中该铁电 液晶系符合下列之关系式: C.Vmax>3.Ps.S 于此C为像素电极所具之每一像素的静电容;Vmax为 经由激活元件施加之至像素的最大电压;S为像素 面积;而Ps为铁电液晶之自发偏振的绝对値。19.如 申请专利范围第18项之液晶显示装置,其中该绝对 値Ps为5 nC/cm2更小。20.如申请专利范围第16项之液 晶显示装置,其中该铁电液晶系符合下列之关系式 : C.Vmax>3.Ps.S 于此C为像素电极所具之每一像素的静电容;Vmax为 经由激活元件施加之至像素的最大电压;S为像素 面积;而Ps为铁电液晶之自发偏振的绝对値。21.如 申请专利范围第20项之液晶显示装置,其中该绝对 値Ps为5 nC/cm2更小。图式简单说明: 第1图为表示电压与铁电液晶的倾斜角之间的关系 之简图; 第2(a)及2(b)二图为表示铁电液晶显示器的分子取 向的模型之简图; 第3(a)及3(b)二图为表示铁电液晶显示器的导向体 之简图; 第4图表为表明表观锥角的简图; 第5(a)及5(b)二图为表示施加电场时导向体分布的 改变之状态的简图; 第6(a)及6(b)二图为表示施加一微弱电场时转换的 各状态之偏光显微镜的典型图; 第7图为表示依据本创作的铁电液晶显示器之装置 的简图; 第8图为表示依据本创作的铁电液晶显示器中所加 电压与透射光强度之间的关系之简图; 第9图为依据本创作的较佳实施例之液晶显示器的 部份断面图; 第10图为表示一使用薄膜电晶体(Thin film transistor 下文简称TFT)充作激活元件的液晶显示器之等效电 路图; 第11图为表示依据本创作的实施例之液晶显示器 的等效电路图; 第12图为依据本创作之实施例的液晶显示器之驱 动波形图; 第13图为依据本创作之实施例的驱动波形图; 第14图为表示本创作之实施例中所用液晶化合物 的成份之略图; 第15图为表示依据本创作的实施例的所加电压与 透射光强度的特性图; 第16(a)及16(b)二图为表示依据本创作的实施例之所 加电压与透射光强度的特性图; 第17至24诸图为表示依据本创作的实施例之所加电 压与透射光强度的特性图; 第25图为表示依据本创作的实施例之液晶盒关于 一频率的静电容之依附性; 第26(a)至26(c)三图为表示依据本创作的实施例之透 射光强度对闸电压、源极电压及汲极电压的图表; 第27图为表示依据本创作的实施例之透射光强度 对源极电压的依附性; 第28图为表明依据先前技艺的驱动方法之波形图; 第29图为表明依据本创作的实施例之驱动方法的 波形图; 第30(a)、30(b)、31(a)、31(b)、32(a)及32(b)诸图为表示 依据本创作的实施例及比较性范例之所加电压对 透射光强度的改变之波形图;及 第33至35各图为表示依据本创作的实施例之驱动波 形及透射光强度的改变之波形图。 |
