Dreitorbauelement, insbesondere Spininjektionstransistor

摘要

Die Erfindung beschreibt ein Dreitorbauelement mit einem Emitter (1), einem Kollektor (2) und einer Basis (3), worin der Kollektor (2) und die Basis (3) ferromagnetische Schichten sind, zwischen welchen eine Tunnel-Isolationsschicht (4) angeordnet ist, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß der Emitter (1) von einer ferromagnetischen oder nichtmagnetischen Schicht gebildet wird, die von dem Kollektor (2) durch eine dazwischenliegende Tunnel-Isolationsschicht (5) getrennt ist.