发明名称 - DEPOSITION OF SILICON DIOXIDE AND SILICON OXYNITRIDE USING BISTERTIARYBUTYLAMINOSILANE
摘要 <p>본 발명은, 반응 가스인 O, O, NO, NO, NO, NH와 식 (t-CHNH)SiH의 실란으로부터 이산화규소 및 옥시질화규소를 화학 증착시키는 방법에 관한 것이다. 이 방법에 의하면, 반응물인 O, O, NO, NO, NO, NH은 변화시키는 한편, (t-CHNH)SiH는 일정하게 공급함으로써 질화규소 내지 산화규소의 규소 함유 유전 물질로 된 적재층을 연속적으로 침착시킬 수 있다(동일한 압력 및 온도 하에). 이로써 제조된 필름은 반도체 분야 및 관련 분야에 사용하기 적합하다.</p>
申请公布号 KR100323628(B1) 申请公布日期 2002.02.07
申请号 KR19990020902 申请日期 1999.06.07
申请人 null, null 发明人 락스만라비쿠마;로버츠데이비드앨린;호크버그아더케네스
分类号 B05D5/00;C23C16/30;C23C16/40;C23C16/42;H01L21/205;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/318 主分类号 B05D5/00
代理机构 代理人
主权项
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