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Ein Element mit differentiellem negativem Widerstand weist eine stark dotierte GaAs-Schicht (3) auf, die zwischen einer Kollektorschicht (2) aus schwach dotiertem GaAs und einer Emitterschicht (4) aus stark dotiertem AlGaAs eingefügt ist, und die zwischen einem Basisbereich (3a) zwischen der Kollektorschicht und der Emitterschicht, einem Basiskontaktbereich (3b) und einem Kanalbereich (3c) zwischen dem Basisbereich und dem Basiskontaktbereich aufgeteilt ist, und in dem Kanalbereich (3c) entsteht durch die Kollektorspannung eine Verarmungsschicht, so daß der Kanalbereich eine differentielle negative Widerstandscharakteristik aufweist, wobei der Kanalbereich (3c) durch epitaxiales Aufwachsen und Ätzen ausgebildet wird, so daß der Hersteller mühelos eine geplante differentielle negative Widerstandscharakteristik des Kanalbereichs (3c) erzielt.
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