发明名称 METHOD FOR PRODUCING A MULTI-BIT MEMORY CELL
摘要 <p>Eine für das Einfangen von Ladungsträgern über dem Source-Bereich (6a) und dem Drain-Bereich (6b) vorgesehene Speicherschicht (3) ist über dem Kanal unterbrochen, so dass ein Diffundieren der Ladungsträger, die über dem Source-Bereich und über dem Drain-Bereich eingefangen sind, verhindert ist. Die Speicherschicht ist auf Bereiche über den dem Kanal zugewandten Anteilen des Source-Bereiches und des Drain-Bereiches begrenzt und rings in Oxid eingebettet.</p>
申请公布号 WO2002011145(A2) 申请公布日期 2002.02.07
申请号 DE2001002811 申请日期 2001.07.25
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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