发明名称 FABRICATION PROCESS FOR DISHING-FREE CU DAMASCENE STRUCTURES
摘要 구리 다마신 중간 접속부를 제조하는 것은 산화물층(304)을 기판 또는 금속층과 같은 하부의 전도성층(102) 위에 침적하는 단계를 포함하며, 상기 산화물층은 패터닝되고 식각된다. 그 후, 임의의 구리 시드층을 구비하는 장벽층(308)은 패터닝된 산화물층(304) 위에 침적된다. 장벽 재료의 일부를 제거하도록 장벽층(308)이 패터닝되고 식각된다. 구리(318)는 장벽층(308) 위에 도금된다. 구리층(318)이 장벽층(308)의 레벨까지 이르도록 CMP 연마를 행한다. 계속 연마를 행하여 장벽층(308)과 모든 잔류 구리(318)를 산화물층(304)에 이르기까지 더 연마한다. 그 결과, 함몰부 없는 구리 다마신 구조가 제조된다.
申请公布号 KR20020010937(A) 申请公布日期 2002.02.06
申请号 KR20027000464 申请日期 2002.01.11
申请人 发明人
分类号 H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/52;H01L23/532 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人
主权项
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