| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft einen Leistungshalbleiterschalter mit einer zwischen dem Gateanschluss (G) eines Feldeffektleistungstransistors (1) und dessen an der Last (L) liegendem Ausgangsanschluss (4) eingeschalteten Strombegrenzungsschaltung (10) und einer mit diesem Gateanschluss (G) verbundenen Ladungspumpe (5, 6, 7), mit der dem Gate (G) des Leistungstransistors (1) ein Ladestrom injiziert wird. Die Strombegrenzungsschaltung (10) hat einen ersten Zweig (12) für die Begrenzung des durch die Last (L) und den Leistungstransistor (1) fließenden Stroms (Iout) wenn die Drain-Source-Spannung des Leistungstransistors (1) einen bestimmten Spannungswert (VS) überschreitet, und einen zweiten zum ersten Zweig (12) parallelen Zweig (11) für die Begrenzung des durch die Last (L) und den Leistungstransistor (1) fließenden Stroms (Iout), wenn die Drain-Source-Spannung des Leistungstransistors (1) den bestimmten Wert (VS) unterschreitet. <IMAGE></p> |
