| 发明名称 | 具有至少一只纳米电子元件的电路装置及其制法 | ||
| 摘要 | 安排在半导体衬底(S)内的至少一只CMOS元件是电路装置的部件。在半导体衬底(S)上安排覆盖CMOS元件的一绝缘层(1,2)。在绝缘层(1,2)之上安排纳米电子元件。至少一导电结构安排在绝缘层(1,2)内并用于连接纳米电子元件与CMOS元件。如果提供多只纳米电子元件,则它们优先组合成纳米电路块(N),其中,纳米电路块(N)各是如此小,以致其导线(B)的RC时间不大于1纳秒。 | ||
| 申请公布号 | CN1334964A | 申请公布日期 | 2002.02.06 |
| 申请号 | CN99816250.7 | 申请日期 | 1999.12.01 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | W·雷斯纳;T·拉姆克;L·里施 |
| 分类号 | H01L27/06;H01L29/76 | 主分类号 | H01L27/06 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;张志醒 |
| 主权项 | 1.具有至少一只纳米电子元件的电路装置，—其中，至少一只CMOS元件是电路装置的部件，并安排在半导体衬底(S)内，—其中，覆盖CMOS元件的绝缘层(1，2)安排在半导体衬底(S)上，—其中，纳米电子元件安排在绝缘层(1，2)上，—其中，在绝缘层(1，2)内至少安排一种用于连接纳米电子元件与CMOS元件的导电结构。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||