自对准电子源装置

摘要

包括用于电子发射装置的新结构和新材料的自对准电子源装置10可用于高级存储系统。装置10包括由介质层(11,15,19)分开的发射电极13、引出电极17和聚焦电极21。通过单个光刻步骤和蚀刻处理形成贯穿各电极和介质层并且在发射电极13终止的单个空腔23。在空腔23中形成包括设置在发射电极13上的基座3和设置在基座3上并且在顶点V处终止的锥形尖头5的复合发射体1。基座3可由包括钛、铬或掺杂硅的材料制成。尖头5可由包括耐熔金属、金属合金、硅合金、碳化物、氮化物或可电铸成形金属的各种材料制成。空腔23与复合发射体1互为基准地自对准。介质层可后移蚀刻以减小或消除在介质层的面向空腔的部分(43,45)上的电荷积累。

主权项

1.一种自对准电子源装置10，它包括：第一介质层11；形成于所述第一介质层11上的发射电极13；包括形成于所述发射电极13上的基座3和形成于所述基座3上并且在顶点V处终止的基本上锥形的尖头5的复合发射体1；形成于所述发射电极13上的第二介质层15；形成于所述第二介质层15上的引出电极17；形成于所述引出电极17上的第三介质层19；以及形成于所述第三介质层19上的聚焦电极21，所述聚焦与引出电极(21，17)和所述第二与第三介质层(15，19)包括从所述聚焦电极21穿出并且在所述发射电极13终止的空腔23，所述空腔23对称地围绕所述复合发射体1并且与所述尖头5的顶点V同轴地对准使得所述空腔23与所述复合发射体1基本上互为基准地自对准。