| 摘要 |
<p>본 발명은 플러그(Plug)층을 돌출시킨 후 플러그층 양측에만 형성된 질화막을 식각 종말점으로 사용하여 하부 전극을 형성하므로 주변 영역의 크랙(Crack) 현상의 발생을 방지하기 위한 DRAM 셀 캐패시터의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 DRAM 셀 캐패시터의 제조 방법은 플러그층을 돌출시킨 후 플러그층 양측에만 형성된 질화막을 식각 종말점으로 사용하여 하부 전극을 형성하므로, 주변 영역의 질화막이 제거되기 때문에 주변 영역에 발생되는 크랙 현상을 억제하므로 배선간의 브릿지(Bridge)를 방지하여 소자의 수율 및 집적도를 향상시키는 특징이 있다.</p> |
