发明名称 |
GaN based group III-V nitride semiconductor light-emitting diode and method for fabricating the same |
摘要 |
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申请公布号 |
GB0130203(D0) |
申请公布日期 |
2002.02.06 |
申请号 |
GB20010030203 |
申请日期 |
2001.12.17 |
申请人 |
SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO LTD |
发明人 |
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分类号 |
H01L33/00;H01L33/10;H01L33/32;H01L33/38;H01L33/42;H01S5/02;H01S5/024;H01S5/042;H01S5/323;H01S5/343 |
主分类号 |
H01L33/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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