| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项所述的液晶显示装置,其中于上述TFT之主动层结构面积中底层光遮蔽薄膜与资料线之宽度之误差为-0.5m至+0.3m。3.如申请专利范围第2项所述的液晶显示装置,其中上述TFT之主动层结构面积中底层光遮蔽薄膜与资料线之间宽度的误差系于生产误差范围内。4.如申请专利范围第1项所述的液晶显示装置,其中于上述TFT之主动层结构面积中底层光遮蔽薄膜之宽度为TFT主动层于通道宽度方向之末端部位与底层光遮蔽薄膜之末端部位之间的距离不得少于1.0m。5.如申请专利范围第1项所述的液晶显示装置,其中上述底层光遮蔽薄膜系以导电材料形成,接着施加具有电压的一电位控制。6.如申请专利范围第1项所述的液晶显示装置,其中上述资料线与黑矩阵系以铝基础金属材料形成。7.一种液晶显示装置之制造方法,其中包括下列步骤于一透明绝缘基底,依序形成一底层光遮蔽薄膜、一第一层间薄膜、用以当作薄膜电晶体之主动层的一复晶矽、一闸极绝缘薄膜、具有一闸极电极部位的一闸线、一第二层间薄膜、一资料线、一第三层间薄膜以及一黑矩阵;其中:至少于上述主动层结构面积中底层光遮蔽薄膜与资料线系形成具有大体相等宽度。8.如申请专利范围第7项所述的液晶显示装置之制造方法,其中于上述主动层结构面积中,使用光罩完成资料线之曝光图案,曝光图案具有与底层光遮蔽薄膜的面积上具有相同宽度。9.如申请专利范围第7项所述的液晶显示装置之制造方法,其中完成上述主动层结构面积中资料线的曝光图案当作光罩使用,于面积上藉由距离不超过0.2m设定曝光图案具有的宽度小于底层光遮蔽薄膜之宽度。图式简单说明:第1(a)图系本发明之一个实施例之像素结构平面图;第1(b)图系沿着第1(a)图的A-AVu获得的一概要剖面图示;第2(a)图至第2(f)图系两种剖面图示,说明本发明另一实施例的液晶显示装置之制造方法步骤,其中一种系沿着第1图的A-AVu获得像素结构剖面图示,以及另一种系沿着B-BVu;第3图系显示光学漏电流与蓝色入射光强度之间的关系图;第4图系说明习知像素结构的平面图;第5图系于第4图显示的像素结构之部分放大图示;第6(a)图系沿着第5图的C-CVu的像素结构剖面图示;第6(b)图系沿着D-DVu的剖面图示; |
