| 主权项 |
1.一种气体放电雷射,包含A一雷射腔室系由氟相容性材料组成且含有:(1)二细长电极;(2)至少一前置游离器;以及(3)一种雷射气体界定总压力且系由一第一贵气、氟、一种缓冲气体以及低于100ppm之一种安定用添加剂总成;该安定用添加剂系选自下列组成的族群:低于10ppm氧以及定量第二贵气其系比第一贵气更重。2.如申请专利范围第1项之雷射,其中该第一贵气为氪以及该安定用添加剂为氙3.如申请专利范围第1项之雷射,其中该第一贵气为氪以及该安定用添加剂为氡。4.如申请专利范围第1项之雷射,其中该第一贵气为氩以及该安定用添加剂为氪。5.如申请专利范围第1项之雷射,其中该第一贵气为氩以及该安定用添加剂为氙。6.如申请专利范围第1项之雷射,其中该第一贵气为氩以及该安定用添加剂为氡。7.如申请专利范围第1项之雷射,其中该安定用体为浓度2至7ppm之氧气。8.如申请专利范围第1项之雷射,其中该准分子雷射为窄带准分子雷射以及该氟具有分压低于总压0.1%。9.如申请专利范围第8项之雷射,进一步包含一输出耦合器具有反射比至少25%。10.如申请专利范围第8项之雷射,其中该至少一棱镜系由氟化钙组成。11.如申请专利范围第8项之雷射,其中该至少一棱镜为三棱镜全部系由氟化钙组成。12.如申请专利范围第8项之雷射,其中氟分压系低于气体总压之0.06%。13.如申请专利范围第8项之雷射,其中该准分子雷射系为ArF雷射及氧浓度低于5ppm。14.一种操作气体放电雷射之方法,雷射具有二细长电极,至少一前置游离器及一种雷射气体由氟及一种贵气缓冲气体组成,该方法包含下列步骤:A)于雷射气体添加一种安定用添加剂系选自由至少10ppm氧以及定量比贵缓冲气体更重的贵气组成的族群,B)以每秒至少1000脉冲之重覆速率操作该雷射。15.如申请专利范围第14项之方法,其中该雷射为KrF雷射以及该贵缓冲气电为氖,及该雷射气体也包含氪。16.如申请专利范围第15项之方法,其中该安定用添加剂为低于5ppm之氧。17.如申请专利范围第15项之方法,其中该安定用添加剂为低于50ppm之氙。18.如申请专利范围第14项之方法,其中该雷射为ArF雷射以及该贵缓冲气体为氖以及该雷射气体包含氧。19.如申请专利范围第18项之方法,其中该安定用添加剂为低于5ppm氧。20.如申请专利范围第15项之方法,其中该安定用添加剂为低于50ppm之氙。21.如申请专利范围第20项之方法,其中该安定用添加剂为低于10ppm之氙。22.如申请专利范围第21项之方法,其中该脉冲重覆速率系大于2000脉冲/秒。23.如申请专利范围第20项之方法,其中该雷射气体界定名目温度循环通过一冷却元件维持于实质上低于名目温度之温度。24.如申请专利范围第20项之方法,其中该雷射为F2雷射及贵缓气体为氦。25.如申请专利范围第24项之方法,其中该安定用添加剂为低于5ppm之氧。26.如申请专利范围第24项之方法,其中该安定用添加剂为低于50ppm氙。27.如申请专利范围第14项之方法,其中该雷射系以每丛发至少100脉冲之丛发模式操作。28.如申请专利范围第27项之方法,其中该雷射界定一气体传输时间,各丛发界定开始时间及于各自丛发前,雷射使用至少一脉冲加前置脉冲,该至少一脉冲系定时发生于各自丛发开始发生前而不早于气体传输时间。29.如申请专利范围第28项之方法,其中该至少一脉冲系少于11脉冲。30.如申请专利范围第24项之方法,其中该至少一脉冲系定时于各自丛发开始时间前约10毫秒发生。31.一种操作气体放电ArF雷射之方法,雷射具有二细长电极,至少一前置游离器及一种雷射气体由氟及一种贵气缓冲气体组成,该方法包含下列步骤:A)于雷射气体添加一种安定用添加剂系选自由至少10ppm氧以及定量比贵缓冲气体更重的贵气组成的族群,B)以每秒至少1000脉冲之重覆速率操作该雷射,C)维持雷射气体于界定名目温度之温度范围,D)循环雷射气体通过一冷却元件其系维持于实质上低于名目温度之温度。图式简单说明:第1图为略图显示用于积体电路光刻术之先前技术商用KrF准分子雷射主要元件。第2图为固态脉冲功率电路之简化电性图。第3图为线图比较固态脉冲功率电路与先前技术基于闸流管(thyratron)之电路的结果。第4图为于一脉冲期间之操作电压之线图。第5图显示于一段800百万脉冲期间之典型操作电压及频宽变化。第6图为KrF雷射系统之简化素描。第7图为线窄化模组主要元件之素描。第8A-8J图显示添加氙至KrF雷射的结果。第9图为先前技术商用KrF光刻术雷射之略图。第10图显示氟、操作电压与脉冲能间之关系。第11图显示线宽随氟浓度之变化。第12A及12B图显示具有不同氟浓度之脉冲形状。第13图为于丛发模式操作期间于首125脉冲之平均脉冲能图表,腔室内部含氧,资料为50丛发之平均。第14图为类似第13图之图表,显示含0ppm,25ppm及49ppm氧之平均脉冲能。第15图为显示第14图所给资料之3-统计数字之图表。第16图为显示带有两种气体添加剂之重覆率效应。第17A及17B图比较氧及氙的效果。第18图显示气体路径有冷阱之效果。第19A及19B图比较1.2及10前置脉冲与不含前置脉冲之效果。第20图摘示若干前置脉冲资料。 |
