| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项之方法,其中该缓冲层为下列各项中之一项,其包含:金属,金属合金,半导体合金,金属半导体合金及I-VII族或II-VI族的离子晶体。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该缓冲层为Al,Cu,Mg,Pb,Au,Ag及其合金中之一项,且该基体为蓝宝石基体,SiC基体中之一项,且该半导体为AlN,GaN,InN及其合金中之一项。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该保护层为MgO,Al2O3,AlN,GaN,InN及其合金中之一项,该半导体为蓝宝石基体及SiC基体中之一项,且该缓冲层为磊晶AlN,GaN,InN及其合金之一项。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该缓冲层为金属Al,Mg及其合金中之一项,且该基体为蓝宝石基体,Si基体及SiC基体中之一项,而该半导体为钻石磊晶薄膜。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该保护层为MgO,AlN及Mo中之一项,且该基体为蓝宝石基体基体,Si基体及SiC基体中之一项,而该半导体为钻石磊晶薄膜。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该缓冲层的厚度从5埃到500埃。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该保护层的厚度从5埃到500埃。图式简单说明:第1a图至第1d图为本发明之方法各个程序之示意图。 |
