发明名称 增长茎部的韭菜栽植方法
摘要 本发明系在提供一种增长茎部的韭菜栽植方法,其可栽植出较长茎部的韭菜,为达到前述目的,其主要包含有一栽植种苗步骤、一割除步骤及一铺盖步骤,亦即在种苗经4~6个月成长后将其割除,再于其上铺盖一遮光层,再经过大约两个月后,韭菜的茎部会成长穿过遮光层受阳光直接照射,再分叶长成叶部,因此,藉由遮光层的铺设,以达到增长韭菜茎部的目的。
申请公布号 TW474779 申请公布日期 2002.02.01
申请号 TW090112139 申请日期 2001.05.21
申请人 谢永谦 发明人 谢永谦
分类号 A01G1/00 主分类号 A01G1/00
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种增长茎部的韭菜栽植方法,其包含有:一栽植种苗步骤,系将韭菜种苗植栽于土壤中,并经一段时间后长成初始韭菜;一割除步骤,系将初始韭菜长于土壤上方的部位割除,而使初始韭菜形成为除叶韭菜;及一铺盖步骤,系在除叶韭菜上方铺盖一遮光层;该除叶韭菜的茎部可成长穿经遮光层,并在遮光层上方继续分叶成长。2.依据申请专利范围第1项所述增长茎部的韭菜栽植方法,其中,该遮光层系可由碎椰子壳、泥碳土、稻榖、木屑或泡棉所铺设而成。3.依据申请专利范围第1项所述增长茎部的韭菜栽植方法,该遮光层的高度约为18-20公分。图式简单说明:第一图系本发明一较佳实施例的流程图。第二图系本发明一较佳实施例一剖视图,说明除叶韭菜上铺盖一遮光层。第三图系本发明一较佳实施例另一剖视图,说明韭菜穿过遮光层长成的状态。
地址 嘉义市老吸街二十九号