| 主权项 |
1.一种低电压电子束激发磷光体显示装置(10),包括一真空室(1,2,3)、一具有一主表面并封设于该真空室内之阳极(6)、形成于该主表面之一磷光体层(7)、相对于该磷光体层封设于该真空室内用以发射一低电压电子束及于该阳极激发该磷光体层之一阴极(9);该磷光体层包括一导电物质和磷光体;该磷光体实质包含有一氧硫化物、以及于制造该装置不可避免地形成于该磷光体一表面上之氧化物;该氧硫化物系以Ln2O2S:R表之,其中,Ln系选自由Gd、La、Y、以及Lu等元素所组成之群组,R代表稀土元素;其中,该磷光体内该氧化物含量藉由下列加工条件制造该装置而被限制在至多为2.010-5mol/m2,该加工条件包括:备制一原始(或开始)磷光体,该原始磷光体实质包括该氧硫化物、以及备制该原始磷光体时不可避免地形成于该原始磷光体一表面上之原始氧化物;将该原始氧化物自该原始磷光体处予以去除,以产生一氧化物经去除之磷光体;将该氧化物经去除之磷光体、导电物质、以及一自溶式接合剂等混合成之膏状物,涂布于该阳极之主表面;于非氧化气氛下加热该膏状物之该接合剂,以形成该包含该导电物质和该氧化物经去除之磷光体之该磷光体层于该阳极之主表面上;以及将该等阳极和阴极封设于该真空室内,以获致该装置。2.如申请专利范围第1项所述之该低电压电子束激发磷光体显示装置,其中,该氧硫化物Ln2O2S之一成分被变化成为该氧化物Ln2O3。3.如申请专利范围第1项所述之该低电压电子束激发磷光体显示装置,其中,当该氧硫化物系以Gd2O2S:R表之时,该磷光体内该氧化物含量至多为1.510-5mol/m2。4.如申请专利范围第1项所述之该低电压电子束激发磷光体显示装置,其中,当该氧硫化物系以Y2O2S:R表之时,该磷光体内该氧化物含量至多为0.0510-5mol/m2。5.一种低电压电子束激发磷光体显示装置的制造方法,该低电压电子束激发磷光体显示装置包括一真空室、一具有一主表面并封设于该真空室内之阳极、形成于该主表面之一磷光体层、相对于该磷光体层封设于该真空室内用以发射一低电压电子束及于该阳极激发该磷光体层之一阴极;该制造方法包括一形成该阳极于建构得该真空室之一绝缘基底上的阳极形成步骤;该制造方法包括:备制一磷光体,该磷光体实质包括一氧硫化物、以及备制该磷光体时不可避免地形成于该磷光体一表面上之氧化物,其中,该磷光体内之该氧化物含量系限定在至多为2.010-5mol/m2;该氧硫化物系以Ln2O2S:R表之,其中,Ln系选自由Gd、La、Y、以及Lu等元素所组成之群组,R代表稀土元素,系选自由Eu、Tb、Sm、Pr、Ce、Dy等元素;将该氧化物自该磷光体处予以去除,以产生一氧化物经去除之磷光体;将该氧化物经去除之磷光体、导电物质、以及一自溶式接合剂等混合成之膏状物,涂布于该阳极之主表面;于非氧化气氛下加热该膏状物之该接合剂,以形成该包含该导电物质和该氧化物经去除之磷光体之该磷光体层于该阳极之主表面上;以及将该等阳极和阴极封设于该真空室内,以获致该低电压电子束激发磷光体显示装置。6.如申请专利范围第5项所述之该低电压电子束激发磷光体显示装置的制造方法,其中,该氧硫化物Ln2O2S之一成分被变化成为该氧化物Ln2O3。7.如申请专利范围第5项所述之该低电压电子束激发磷光体显示装置的制造方法,其中,该自溶式接合剂系选自由聚乙烯氧化物和丙烯酸树脂所组成之群组。8.如申请专利范围第5项所述之该低电压电子束激发磷光体显示装置的制造方法,其中,该去除之步骤是使用酸液蚀刻该氧化物,以产生该氧化物经去除之磷光体。9.如申请专利范围第5项所述之该低电压电子束激发磷光体显示装置的制造方法,其中,该去除步骤包括于一非氧化气氛下加热该磷光体,以自该磷光体将该氧化物移除,以产生该氧化物经去除之磷光体。10.如申请专利范围第9项所述之该低电压电子束激发磷光体显示装置的制造方法,其中,该非氧化气氛系选自由碳的还原气氛、氢和惰性气体混合之还原气氛、以及氮之中性气氛。11.如申请专利范围第5项所述之该低电压电子束激发磷光体显示装置的制造方法,其中,该去除步骤包括:使用酸液蚀刻该氧化物;以及于一非氧化气氛下加热该磷光体,自该磷光体将该氧化物移除,以产生该氧化物经去除之磷光体。12.如申请专利范围第11项所述之该低电压电子束激发磷光体显示装置的制造方法,其中,该非氧化气氛系选自由碳的还原气氛、氢和惰性气体混合之还原气氛、以及氮之中性气氛。13.如申请专利范围第5项所述之该低电压电子束激发磷光体显示装置的制造方法,其中,相对于该磷光体,硫和硫化合物之任一者以0-80mol%(不包括0.包括80)之混合比例加入该磷光体内;该去除步骤包括于一还原气氛下之加热该磷光体,将该该氧化物自该磷光体内移除,以产生该氧化物经去除之磷光体。14.如申请专利范围第5项所述之该低电压电子束激发磷光体显示装置的制造方法,其中,该磷光体层之该磷光体内该氧化物含量至多为2.010-5mol/m2。15.如申请专利范围第5项所述之该低电压电子束激发磷光体显示装置,其中,当该氧硫化物系以Gd2O2S:R表示时,该磷光体内该氧化物含量至多为1.510-5mol/m2。16.如申请专利范围第5项所述之该低电压电子束激发磷光体显示装置,其中,当该氧硫化物系以Y2O2S:R表示时,该磷光体内该氧化物含量至多为0.0510-5mol/m2。图式简单说明:第1图系显示根据本发明一低电压电子束激发磷光体显示装置之部份立体透视图;第2图系显示第1图之低电压电子束激发磷光体显示装置的剖面图;第3图系显示用以叙述根据本发明一低电压电子束激发磷光体显示装置之图式,其示以包括Gd2O2S:Eu之磷光体氧含量对低电压电子束激发磷光体显示装置亮度之关系图;第4图系显示本发明和习知低电压电子束激发磷光体显示装置间亮度之关系图;以及第5图系显示用以叙述根据本发明之低电压电子束激发磷光体显示装置之图式,其示以包括Y2O2S:Eu之磷光体氧含量对低电压电子束激发磷光体显示装置亮度之关系图。 |
