| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项的光学各向异性结构之评 估方法,其中,将该结构调整为步骤(b)中状态,藉此 测量该结构之光学各向异性的面内分布。3.如申 请专利范围第1项的光学各向异性结构之评估方法 ,其中,于步骤(b)时,将该结构环绕一轴旋转,藉此决 定该结构之主介电常数座标轴的方位。4.如申请 专利范围第1项的光学各向异性结构之评估方法, 其中,于步骤(b)时,在将该结构移动到与光侦测器 平行之际,以配位在一方向中的光侦测器来测量该 反射光之该第二偏光组成强度,藉此决定该结构之 光学各向异性的面内分布。5.如申请专利范围第1 项的光学各向异性结构之评估方法,其中,于步骤(b )时,以所配置的光侦测器来测量反射光之第二偏 光组成强度,致使反射光至各个光侦测器的入射方 位彼此不同,藉此决定结构之光学各向异性的面内 分布与方位。6.如申请专利范围第1项的光学各向 异性结构之评估方法,其中,于步骤(b)时,在将该结 构旋转到平行于光侦测器时,以设置在平行状态中 的光侦测器来测量该反射光之该第二偏光组成强 度,藉此决定该结构之光学各向异性的面内分布。 7.如申请专利范围第1项的光学各向异性结构之评 估方法,其中,于步骤(a)时,以一入射角将该入射光 照射到该结构,致使该反射光之该第二偏光组成最 大化。8.如申请专利范围第1项的光学各向异性结 构之评估方法,其中,于步骤(a)时,以一入射角与一 入射方位将该入射光照射到该结构,致使该反射光 之该第二偏光组成最大化。9.如申请专利范围第1 项的光学各向异性结构之评估方法,其中,于步骤(a )所使用的该入射光具有一固定的横剖面; 且其中,利用一二维光侦测器来测量该反射光之该 第二偏光组成强度。10.如申请专利范围第1项的光 学各向异性结构之评估方法,其中,额外使用用于 产生该入射光的一偏光板,与用于选择该反射光之 该第二组成的一分析板。11.一种光学各向异性结 构的评估系统,其包含: (a)一入射光发射器,用于将含有一第一偏光组成的 入射光照射到一光学各向异性结构,因经由该结构 的反射而产生含有一第二偏光组成的反射光; 该第一偏光组成为一s偏光组成与一p偏光组成其 中之一; 该第二偏光组成为一s偏光组成与一p偏光组成其 中之一,且其与该第一偏光组成不同;以及, (b)一测量系统,用于测量该反射光的该第二偏光组 成强度,决定该结构的光学各向异性。12.如申请专 利范围第11项的光学各向异性结构之评估系统,更 包含其上设置该结构的一样品台; 其中,设计该样品台,以便使其在一期望方向中旋 转,藉此测量该结构之光学各向异性的面内分布。 13.如申请专利范围第11项的光学各向异性结构之 评估系统,更包含其上设置该结构的一样品台; 其中,设计该样品台,以便使其环绕一轴旋转,藉此 决定该结构之主介电常数座标轴的方位。14.如申 请专利范围第11项的光学各向异性结构之评估系 统,其中,该测量系统包含用于测量该反射光之该 第二偏光组成强度的光侦测器; 该光侦测器系配位在一方向中; 且其中,在将该结构移动到与光侦测器平行之际, 使用该光侦测器以便测量该反射光之该第二偏光 组成强度,藉此决定该结构之光学各向异性的面内 分布。15.如申请专利范围第11项的光学各向异性 结构之评估系统,其中,该测量系统包含用于测量 该反射光之该第二偏光组成强度的光侦测器; 该光侦测器的设置方式致使反射光至各个光侦测 器的入射方位彼此不同; 且使用该光侦测器以便测量该反射光之该第二偏 光组成强度,藉此决定结构之光学各向异性的面内 分布与方位。16.如申请专利范围第12项的光学各 向异性结构之评估系统,其中,该测量系统包含平 行设置的光侦测器; 且使用该光侦测之目的是在将该结构移动至与该 光侦测器平行时,用来测量该反射光之该第二偏光 组成强度,藉此决定该结构之光学各向异性的面内 分布。17.如申请专利范围第11项的光学各向异性 结构之评估系统,其中,该入射光发射器以一入射 角将该入射光照射到该结构,致使该反射光之该第 二偏光组成最大化。18.如申请专利范围第11项的 光学各向异性结构之评估系统,其中,该入光发射 器以一入射角与一入射方位将该入射光照射到该 结构,致使该反射光之该第二偏光组成最大化。19. 如申请专利范围第11项的光学各向异性结构之评 估系统,其中,该测量系统包含一二维光侦测器与 具有一固定横剖面的入射光; 且其中是以该二维光侦测器来测量该反射光之该 第二偏光组成强度。20.如申请专利范围第11项的 光学各向异性结构之评估系统,其中,该入射光发 射器包含用于产生该入射光的一偏光板,且该测量 系统包含用于选择该反射光之该第二组成的一分 析板。21.一种光学各向异性结构之面内光学各向 异性分布的测量方法,该方法包含下列步骤: (a)输入测量条件; 该测量条件包含一初始位置的座标数据; (b)以该初始位置的座标数据为基准,移动一光学各 向异性结构; (c)调整该结构的倾斜度; (d)寻找使得光线侦测强度最大化的一角度; (e)以使得光线侦测强度最大化的一方位,配合该结 构的方位;以及, (f)由该测量条件所定义出的特定位置处,测量该反 射光的强度,藉此测量该结构的面内光学各向异性 分布。22.一种电脑程式产品,具有一电脑可读取媒 体且其上纪录一电脑程式,可操作该电脑程式以便 评估一种光学各向异性结构;该电脑程式产品包含 : (a)针对输入测量条件之操作进行编码; 该测量条件包含一初始位置的座标数据; (b)针对以该初始位置的座标数据为基准而移动一 光学各向异性结构之操作进行编码; (c)针对调整该结构的倾斜度之操作进行编码; (d)针对寻找使得光线侦测强度最大化的一角度之 操作进行编码; (e)针对以使得光线侦测强度最大化的一方位而配 合该结构的方位之操作进行编码;以及, (f)针对由该测量条件所定义出的特定位置处测量 该反射光的强度、藉此测量该结构的面内光学各 向异性分布之操作进行编码。图式简单说明: 图1为本发明第一实施例中、一种用于实施光学各 向异性结构之评估方法的评估系统之构造略图。 图2是详细显示如图1所示之评估系统的样品台构 造之立体略图。 图3为本发明第一实施例的比较例中、入射方位与 反射光之p偏光组成强度关系的测量结果图表,其 中,在入射方位改变时,将s偏光入射光照射于玻璃 基板上所形成的各向同性层上,藉此形成反射光。 图4是利用本发明第一实施例的光学各向异性结构 之评估方法所得的入射方位与反射光之p偏光组成 强度关系的测量结果图表,其中,在改变入射方位 时,将s偏光入射光照射于玻璃基板上所形成的各 向同性层上,藉此形成反射光。 图5为本发明第一实施例的另一比较例中、入射方 位与反射光之s偏光组成强度关系的测量结果图表 ,其中,在入射方位改变时,将p偏光入射光照射于玻 璃基板上所形成的各向同性层上,藉此形成反射光 。 图6为本发明第一实施例的一变化例中、入射方位 与反射光之s偏光组成强度关系的测量结果图表, 其中,在入射方位改变时,将p偏光入射光照射于玻 璃基板上所形成的各向异性层上,藉此形成反射光 。 图7是利用本发明第二实施例的光学各向异性结构 之评估方法所得的反射光之s偏光组成位置关系的 测量结果图表,其中,在入射位置改变时,将p偏光入 射光照射于玻璃基板上所形成、具有各向同性与 各向异性区域的层或样品上,藉此形成反射光。 图8为本发明第三实施例中、一种用于实施光学各 向异性结构之评估方法的评估系统之构造略图,其 中,操作该系统以便在电脑的控制下来测量样品的 各向异性。 图9为显示图8的系统中所使用的控制程式之步骤 流程图。 图10是利用本发明第三实施例的光学各向异性结 构之评估方法所得的反射光之s偏光组成强度的面 内分布之测量结果图表,其中,在入射位置改变时, 将p偏光入射光照射于玻璃基板上所形成、具有各 向同性与各向异性区域的层或样品上,藉此形成反 射光。 图11是利用本发明第四实施例的光学各向异性结 构之评估方法所得的入射方位与反射光之p偏光组 成强度关系的测量结果图表,其中,在入射方位改 变时,将s偏光入射光照射于铬沉积玻璃基板上所 形成的各向异性层上,藉此形成反射光;在此该曲 线表示测量结果,而方点则表示计算结果。 图12为显示图11之第四实施例的方法中新使用、为 决定各向异性结构之厚度的电脑程式之步骤流程 图。 图13为本发明第五实施例中、一种用于实施光学 各向异性结构之评估方法的评估系统之构造略图, 其中该系统包含用于发射具有连续波长光线的一 光源与一分光镜。 图14是利用图13之第五实施例的方法所得的入射方 位与反射光之p偏光组成强度关系的测量结果图表 ,其中,在入射方位改变时,将s偏光入射光(波长450nm )照射于铬沉积玻璃基板上所形成的各向异性层上 ,藉此形成反射光。 图15是利用图13之第五实施例的方法所得的入射方 位与反射光之p偏光组成强度关系的测量结果图表 ,其中,在入射方位改变时,将s偏光入射光(波长650nm )照射于铬沉积玻璃基板上所形成的各向异性层上 ,藉此形成反射光。 图16为本发明第六实施例中、一种用于实施光学 各向异性结构之评估方法的评估系统之构造略图, 其中该系统包含用于发射具有连续波长光线的一 光源与一分光镜。 图17为本发明第七实施例中、一种用于实施光学 各向异性结构之评估方法的评估系统之构造略图, 其中该系统包含一二维、位置感应光侦测器,且其 可应用于测量结构之各向异性的面内分布。 图18为本发明第八实施例中、另一种用于实施光 学各向异性结构之评估方法的评估系统之构造略 图,其中,分析板与光侦测器两者的设置致使反射 光至各个光侦测器的入射方位彼此不同。 图19为本发明第九实施例中、又另一种用于实施 光学各向异性结构之评估方法的评估系统之构造 略图,其中是将分析板与光侦测器两者设置在水平 方向中。 |
