发明名称 层合于金属板成形加工用之双轴拉伸定向聚酯薄膜
摘要 本发明系有关由(a)全部二羧酸成份之82~100莫尔%为对苯二甲酸且0~18莫尔%为2,6-二羧酸或2,6-二羧酸与其他二羧酸所成,(b)全部二醇成份之82~100莫尔%为乙二醇,且0~18莫尔%为环己烷二甲醇或环己烷二甲醇与其他二醇所成,(C)玻璃转移温度为78℃以上,且(d)熔点为210~250℃范围的聚酯共聚物所成,层合于金属板成形加工用之双轴拉伸定向薄膜此薄膜之损失弹性模数之最高温峰温度(Te,℃)与上述玻璃转移温度( Tg,℃)之关系可满足以下式:Te-Tg≦30,或含有50ppm以下游离之二羧酸二醇酯。此薄膜可维持优异之成形加工性、耐热性、耐冲击性、并同时可改善内容物之保香性,尤其蒸煮处理后之保味保香性。
申请公布号 TW474954 申请公布日期 2002.02.01
申请号 TW086114894 申请日期 1997.10.09
申请人 帝人股份有限公司 发明人 久保耕司;小菅雅彦;室冈博文;木村 学
分类号 C08G63/16;C08J5/18 主分类号 C08G63/16
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种层合于金属板成形加工用之双轴拉伸定向 薄膜,其特征为由, (A)(a)全部二羧酸成份之82-100莫耳%为对苯二甲酸, 且0-18莫尔%为2,6-二羧酸或2,6-二羧酸与其他二 羧酸所成, (b)全部二醇成份之82-100莫尔%为乙二醇,且0-18莫尔% 为环己烷二甲醇或环己烷二甲醇与其他二醇所成 (c)玻璃转移温度为78℃以上,且 (d)熔点为210-250℃范围, 的聚酯共聚物所成,而且 (B)损失弹性模数之最高温峰温度(Te,℃)与上述玻 璃转移温度(Tg,℃)之关系可满足以下式 Te-Tg≦30 的条件, (C)面定向系数为0.100-0.150之间者。2.如申请专利范 围第1项之薄膜,其中聚酯共聚物之全部二羧酸成 份为由对苯二甲酸与2,6-二羧酸所成,又,全部二 醇成份为由乙二醇所成者。3.如申请专利范围第1 项之薄膜,其中聚酯共聚物之玻璃转移温度(Tg)为78 -90℃之范围。4.如申请专利范围第1项之薄膜,其中 聚酯共聚物之熔点为210-245℃之范围。5.如申请专 利范围第1项之薄膜,其中损失模数之最高峰温度( Te)与坡璃转移温度(Tg)间系具有以下关系; 15≦Te-Tg≦25。6.如申请专利范围第1项之薄膜,其中 平行于薄膜表面之(100)面与(110)面具有以下关系, 0.10≦I(110)/I(100)≦0.40 在此,I(110)系(110)面之X线绕射强度,而I(100)系(100)面 之X线绕射强度。7.如申请专利范围第6项之薄膜, 其中薄膜面方向之折射率为任一方向均在 1.620-1.670间。8.如申请专利范围第6项之薄膜,其中 在DSC中,与熔点高不同之另一个高,系于150-205 ℃范围之高峰者。9.如申请专利范围第1项之薄膜, 其中在薄膜面内具有100℃下40%伸展时拉伸应力(F40 ,kgf/mm2)与100℃下120%伸展时拉伸应力(F120,kgf/mm2),为 可满足以下关系 0.6≦F40/F120≦0.8 之方向。10.如申请专利范围第1项之薄膜,其中以 离子交换水,于121℃施予2小时萃取处理时之萃取 量为0.5mg/平方寸 (0.0775mg/cm2)以下者。11.一种层合于金属板成形加 工用之双轴拉伸定向薄膜,其特征为由 (A)(a)全部二羧酸成份之82-100莫尔%为对苯二甲酸, 且0-18莫尔%为2,6-二羧酸或2,6-二羧酸与其他二 羧酸所成, (b)全部二醇成份之82-100莫尔%为乙二醇,且0-18莫尔% 为环己烷二甲醇或环己烷二甲醇与其他二醇所成 (c)玻璃转移温度为78℃以上,且 (d)熔点为210-250℃范围, (e)固有粘度为0.5-0.8dl/g之范围, 的聚酯共聚物所成,而且 (B)游离之二羧酸二醇酯含量为50ppm以下, (C')面定向系数为0.100-0.150之范围, (D)厚度为6-75m之范围。12.如申请专利范围第11项 之薄膜,其中全部二醇成份之90莫尔%以上为乙二醇 。13.如申请专利范围第11项之薄膜,其中游离之二 羧酸二醇酯为对苯二甲酸双(-羟乙基)酯。14.如 申请专利范围第11项之薄膜,其中损失模数之最高 温度(Te)与聚酯共聚物之玻璃转移温度(Tg)间系 具有以下关系, Te-Te≦30。15.如申请专利范围第11项之薄膜,其中在 薄膜面内具有100℃下40%伸展时拉伸应力(F40,kgf/mm2) 与100℃下120%伸展时拉伸压力(F120,kgf/mm2)为可满足 以下关系 0.6≦F40/F120≦0.8 之方向。16.如申请专利范围第11项之薄膜,其以离 子交换水于125℃施予1小时萃取处理时之萃取量为 0.1mg/平方寸(0.0115mg /cm2)以下者。17.如申请专利范 围第11项之薄膜,其中平行于薄膜表面之(100)面与( 110)面具有以下关系, 0.10≦I(110)/I(100)≦0.40 在此I(110)系(110)面之X线绕射强度,而I(100)系(100)面 之X线绕射强度。18.如申请专利范围第17项之薄膜, 其中薄膜面方向之折射率为任一方向均在1.620-1. 670间。19.如申请专利范围第17项之薄膜,其中在DSC 中,与熔点高峰不同之另一高峰,系于150-205℃范围 之高峰者。20.如申请专利范围第1项之薄膜,其中 薄膜之厚度为6-75m之范围。21.如申请专利范围 第1项或第11项之薄膜,其为用于制造层合于金属板 之层合物。22.一种制造金属罐之深拉加工用之层 合物,其为使用申请专利范围第21项之薄膜层合于 金属板上而制得者。图式简单说明: 如图1所示,在DSC图之熔点高峰A的低温侧所出现之 小峰B。
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