| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,前述外 部连接端子是由焊接材料制成的。3.如申请专利 范围第1项所述之半导体装置,更具备有:在其中一 方的主面设有电极焊垫,且设有前述电极焊垫的面 是与搭载前述配线基板的前述半导体元件之面的 背面相对的方式,以及连接前述电极焊垫与前述外 部连接端子的方式,被配置之实装基板。4.如申请 专利范围第1项所述之半导体装置,前述连接部系 具有:从前述绝缘基板侧开始依序积层由焊接材料 所制成之第1导电层、由金与焊接材料的合金所制 成之第2导电层、以及由金所制成之第3导电层的 构造。5.如申请专利范围第4项所述之半导体装置, 前述焊接材料是由利用锡-银焊剂、锡-铜焊剂、 及锡-银-铜焊剂所组成的组群中所选出的任一种 焊剂。6.如申请专利范围第2项所述之半导体装置, 前述外部连端子系具备有:第1部分、和比前述第1 部分,离前述配线更远之第2部分;前述第1部分的融 点高于前述第2部分的融点。7.如申请专利范围第1 项所述之半导体装置,应用在形成前述连接部的材 料、和构成前述外部连接端子的材料,实际上为同 一种材料。8.一种半导体装置,其具备有:具有侧壁 为开放的贯通孔之绝缘基板、和埋入前述侧壁为 开放的贯通孔,且由焊接材料所制成之外部连接端 子、和被设在前述绝缘基板上,且一端与前述记外 部连接端子连接之配线、和被设在前述配线的另 一端上之连接部的配线基板、以及 在其中一方的主面设有连接电极,且设有前述连接 电极的面是与设有前述绝缘基板的前述配线之面 相对的方式,以及前述连接电极是使前述连接部介 于中间,而被电气连接在前述配线的方式,被搭载 在前述配线基板之半导体元件。9.一种半导体装 置,其具备有:至少一方具有贯通孔及侧壁为开放 的贯通孔之绝缘基板、和至少一方埋入前述贯通 孔及前述侧壁为开放的贯通孔之外部连接端子、 和被设在前述绝缘基板上,且一端与前述外部连接 端子连接之配线、和被设在前述配线另一端上之 连接部的配线基板、以及 在其中一方的主面设有连接电极,且设有前述连接 电极的面是与设有前述绝缘基板的前述配线之面 相对的方式,以及前述连接电极是使前述连接部介 于中间,而被电气连接在前述配线的方式,被搭载 在前述配线基板之半导体元件; 前述连接部系具有:从前述绝缘基板侧开始依序积 层,由焊接材料所制成之第1导电层、由金与焊接 材料的合金所制成之第2导电层、以及由金所制成 之第3导电层的构造。10.一种半导体装置,其具备 有:至少一方具有贯通孔及侧壁为开放的贯通孔之 绝缘基板、和至少一方埋入前述贯通孔及前述侧 壁为开放的贯通孔,且由焊接材料所制成之外部连 接端子、和被设在前述绝缘基板上,且一端与前述 外部连接端子连接之配线、和被设在前述配线之 另一端上的连接部之配线基板、以及 在其中一方的主面设有连接电极,且设有前述连接 电极的面是与设有前述绝缘基板的前述配线之面 相对的方式,以及前述连接电极是使前述连接部介 于中间,而被电气连接在前述配线的方式,被搭载 在前述配线基板之半导体元件; 前述外部连接端子系具备有:第1部分和前述配线 比前述第1部分更远的第2部分;且前述第1部分的融 点比前述第2部分的融点更高。11.一种外部连接端 子构造体,其具备有: 第1及第2配线基板可一起被分开的构成;各别具备 有:绝缘基板、以及埋入被设在前述绝缘基板的贯 通孔,且由焊接材料所制成之外部连接端子、和被 设在前述绝缘基板上,且与前述外部连接端子连接 之配线、和被设在前述配线上之金属凸块,且互相 邻接之第1及第2配线基板构造; 前述第1及第2配线基板构造是设成各别对应前述 第1及第2配线基板,前述第1配线基板构造的外部连 接端子和前述第2配线基板构造的外部连接端子就 会被一体化;前述第1配线基板构造的配线和前述 第2配线基板构造的配线就会被一体化。12.如申请 专利范围第11项所述之外部连接端子构造体,前述 外部连接端子是由利用锡-银焊剂、锡-铜焊剂、 及锡-银-铜焊剂所组成的组群中被选出的焊接材 料所制成的。13.如申请专利范围第11项所述之外 部连接端子构造体,构成前述金属凸块的材料与构 成前述外部连接端子的材料,实际上为同一种材料 。14.一种外部连接端子构造体,其具备有: 第1及第2配线基板可一起被分开的构成;各别具备 有:绝缘基板、及埋入被设在前述绝缘基板的贯通 孔,且由焊接材料所制成之外部连接端子、和被设 在前述绝缘基板上,且与前述外部连接端子连接之 配线、和被设在前述配线上之金属凸块,且互相邻 接之第1及第2配线基板构造; 前述第1及第2配线基板构造是设成各别对应前述 第1及第2配线基板,前述外部连接端子系具备有:第 1部分、和前述配线比前述第1部分更远之第2部分, 前述第1部分的融点比前述第2部分的融点更高。15 .如申请专利范围第14项所述之外部连接端子构造 体,前述外部连接端子是由利用锡-银焊剂、锡-铜 焊剂、及锡-银-铜焊剂所组成的组群中被选出的 焊接材料所制成的。16.如申请专利范围第14项所 述之外部连接端子构造体,构成前述金属凸块的材 料和构成前述外部连接端子的材料,实际上是为同 一种材料。17.一种半导体装置之制造方法,其具备 有: 第1及第2配线基板可一起被分开的构成;分别具备 有,绝缘基板、以及埋入被设在前述绝缘基板的贯 通孔之外部连接端子、和被设在前述绝缘基板上, 且与前述外部连接端子连接之配线、和被设在前 述配线上之金属凸块;且形成具备有互相邻接的第 1及第2配线基板构造之外部连接端子构造体的工 程、和 在设有前述绝缘基板的前述金属凸块的整个面,贴 上绝缘树脂层的工程、和 将贴有前述绝缘树脂层的前述绝缘基板,对应前述 第1及第2配线基板构造而予切开的工程,藉此取得 前述第1及第2配线基板; 各别在前述绝缘基板(复数个)搭载,在其中一方的 主面设有连接电极1半导体元件(复数个)工程。18. 如申请专利范围第17项所述之半导体装置之制造 方法,形成前述外部连接端子构造体的工程,是以 前述第1配线基板构造的外部连接端子和前述第2 配线基板构造的外部连接端子被一体化,且前述第 1配线基板构造的配线和前述第2配线基板构造的 配线被一体化的方式所进行的; 前述切开的工程系具备有,将前述一体化的外部连 接端子(复数个),对应前述第1及第2配线基板构造 而予切开,以及将前述一体化的配线(复数个),对应 前述第1及第2配线基板构造而予切开。19.一种半 导体装置之制造方法,其具备有:在配线基板搭载, 在其中一方的主面设有连接电极之半导体元件的 工程; 前述配线基板系具有备:至少一方具有贯通孔,以 及侧壁为开放的贯通孔之绝缘基板、和至少一方 埋入前述贯通孔,以及前述侧壁为开放的贯通孔之 外部连接端子、和被设在前述绝缘基板上,且一端 与前述外部连接端子连接之配线、和被设在前述 配线的另一端上,且由焊接材料所制成之金属凸块 ; 在前述配线甚板搭载前述半导体元件的工程系包 括:以在前述金属凸块,使铝凸块介于中间而贴上 前述连接电极的状态,将前述金属凸块,加热到低 于前述焊接材料的融点温度,藉此形成电气连接前 述连接电极与前述配线的连接部。图式简单说明: 第1图系概略表示习知FGA型的半导体封装体之剖面 立体图; 第2图系概略表示习知QFN型的半导体封装体之剖面 立体图; 第3图系概略表示有关本发明之第1形态之半导体 装置之断面图; 第4图系概略表示应用于第3图所示的半导体装置 的制造之外部连接端子构造体的平面图; 第5图系概略表示由第1图所示的外部连接端子构 造体所取得的配线基板之平面图; 第6图系概略表示有关本发明之第2形态之半导体 装置之断面图; 第7图系概略表示应用于第6图所示的半导体装置 的制造之外部连接端子构造体之平面图; 第8图系概略表示由第7图所示的外部连接端子构 造体所取得的配线基板之平面图; 第9图系概略表示第6图所示的半导体装置之连接 部其中一例之断面图; 第10图系概略表示有关本发明之第3形态之半导体 装置之断面图。 第11A图-第11C图系各自概略表示有关本发明之第2 及第3形态之半导体封装体,欲搭载在实装基板的 过程之断面图; 第12图系概略表示利用有关本发明之第2及第3形态 的半导体装置所用的构造其中一例之断面图; 第13A图-第13C图系各自概略表示有关本发明之第4 形态的半导体装置,欲搭载在实装基板的过程之断 面图; 第14图系概略表示有关本发明之第5形态之半导体 装置其中一部分之断面图; 第15A图系概略表示有关本发明之第6形态之半导体 装置其中一部分之平面图。 第15B图系沿着第15A图所示的构造之15B-15B线之断面 图; 第16A图系概略表示利用第15A图所示的半导体装置, 欲搭载在实装基板所取得的构造其中一部分之平 面图; 第16B图系沿着第16A图所示的构造之16B-16B线之断面 图;及 第17图系概略表示有关本发明之第7形态之半导体 装置之断面图。 |
